三星电子考虑采用1c nm DRAM裸片生产HBM4内存

据韩媒 ZDNet Korea 于今日的报导，三星电子正酝酿在HBM4内存上采用1c纳米制程（即第六代10+nm级）的DRAM裸片，以此增强其产品在能效竞争力方面的优势。

早前在Memcon 2024行业会议上，三星电子代表曾表示，该公司计划在年底前实现对1c纳米制程的大规模生产；而关于HBM4，他们预见在明年会完成研发，并在2026年开始量产。

尽管作为已有HBM3E量产经验的三星电子，却未能如其主要竞争者SK海力士及美光那样，采用1b纳米制程的DRAM裸片，反而选择了1a纳米颗粒，从而在能耗方面略显不足。

有消息人士指出，这可能是促使三星决定在HBM4上引入1c纳米DRAM颗粒的关键因素之一。

据悉，同一制程节点的首批DRAM产品通常面向桌面与移动设备市场的标准DDR/LPDDR产品，待技术成熟后再应用于高价值且良率较低的HBM领域。

此外，消息人士还透露，三星电子HBM业务的高层及团队也有意将HBM4的开发周期缩短，以满足AI处理器制造商的需求。然而，这无疑将增加良率风险。

目前，在HBM内存领域占据领先地位的SK海力士已经表明计划在HBM4E上引入1c纳米制程颗粒，但尚未明确HBM4内存将采用何种制程的DRAM。