SemiQ用于电动汽车快速充电的碳化硅
SemiQ 的各种碳化硅 (SiC) 二极管、模块和 MOSFET 能够满足高效率电动汽车快速充电设计的需求，具有一流的可靠性、质量和性能。
SiC模块和分立封装中的 1200V 二极管具有一系列电压和电流，可为 300kW 及以上的直流快速充电系统提供最终的效率增益。
SemiQ SiC 在电动汽车快速充电中的优势：
高效率
降低工作温度
长期可靠性
与Si相比，设计复杂性降低
超过 5400 万小时的 HTRB/H3TRB 测试
单向和双向转换
典型电动汽车充电示意图：
电动汽车快速充电用SemiQ SiC Diodes 1200V 产品系列：
特征：
带浪涌电流的单极整流器
零反向恢复电流
快速、独立于温度的切换
所有部件测试电压大于1400V
优势：
接近零的开关损耗
更高的效率
较小的散热器
易于并行
应用：
电动汽车充电站
太阳能转化器
开关模式电源，UPS（不间断电源装置）
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
电动汽车
+关注
关注
156文章
12550浏览量
236234 -
MOSFET
+关注
关注
150文章
9413浏览量
229608 -
碳化硅
+关注
关注
25文章
3309浏览量
51715
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
onsemi NVH4L095N065SC1碳化硅MOSFET：汽车电子应用的理想之选
在汽车电子领域，随着电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的快速发展，对功率半导体器件的性能和可靠性提出了更高的要求。碳化硅（SiC）MO
效率的强制性指令：解析GB 46519-2025对中国电动汽车充电桩电源模块市场的影响及碳化硅技术的关键作用
效率的强制性指令：解析GB 46519-2025对中国电动汽车充电桩电源模块市场的影响及碳化硅技术的关键作用 倾佳电子（Changer Tech）是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接
探索碳化硅如何改变能源系统
作者：Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成为各行各业提高效率和推动脱碳的基石。碳化硅是高级电力系统的推动剂，可满足全球对可再生能源、电动汽车 (EV
碳化硅在电机驱动中的应用
今天碳化硅器件已经在多种应用中取得商业的成功。碳化硅MOSFET已被证明是硅IGBT在太阳能、储能系统、电动汽车充电器和电动汽车等领域的商业
Nexperia碳化硅MOSFET优化电源开关性能
面对大功率和高电压应用不断增长的需求，Nexperia（安世半导体）正式推出了碳化硅（SiC）MOSFET。这些器件具备出色的RDS(on)温度稳定性、超快的开关速度以及超强的短路耐受性，是电动汽车充电基础设施、光伏逆变器以及电
碳化硅功率器件在汽车领域的应用
随着全球汽车行业向电动化、智能化和轻量化的快速转型，碳化硅（SiC）功率器件以其优越的性能，正日益成为汽车电子领域的重要组成部分。特别是在
碳化硅芯片正在占领电动汽车市场
在纯电动汽车的众多电子系统中，功率电子设备是核心所在，而半导体在其能源管理中发挥着关键作用，确保能源的高效使用。由碳化硅制成的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）更是能将电动出行的效率提升到
SemiQ新一代1200V SiC MOSFET模块：高效能、超快开关与卓越热管理
近日，半导体技术公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技术的1200VSOT-227MOSFET模块系列。该系列产品采用先进的共封装设计，具备更快的开关速度、更低的导通与开关损耗，适用于
碳化硅功率器件有哪些特点
随着全球对绿色能源和高效能电子设备的需求不断增加，宽禁带半导体材料逐渐进入了人们的视野。其中，碳化硅（SiC）因其出色的性能而受到广泛关注。碳化硅功率器件在电力电子、可再生能源以及电动汽车等领域的应用不断拓展，成为现代电子技术的
为什么碳化硅Cascode JFET 可以轻松实现硅到碳化硅的过渡？
，碳化硅具备多项技术优势（图1），这使其在电动汽车、数据中心，以及直流快充、储能系统和光伏逆变器等能源基础设施领域崭露头角，成为众多应用中的新兴首选技术。 表1 硅器件（Si）与碳化硅（SiC）器件的比较 特性 Si 4H-Si
发表于 03-12 11:31
•850次阅读
碳化硅MOSFET的优势有哪些
随着可再生能源的崛起和电动汽车的普及，全球对高效能、低能耗电力电子器件的需求日益增加。在这一背景下，碳化硅（SiC）MOSFET作为一种新型宽禁带半导体器件，以其优越的性能在功率电子领域中崭露头角
新能源电动汽车充电桩快速充电技术研究与应用方案
摘要: 随着电动汽车的快速发展，电动汽车充电技术成为人们关注的焦点。传统的慢充技术存在着充电时间长、不便捷等问题，难以满足人们对
碳化硅IGBT在汽车领域的关键作用是什么?
自电动汽车大规模普及的早期阶段以来，碳化硅(SiC)和其他宽禁带(WBG)技术就被认为是电池电动汽车子系统的理想选择。与传统硅材料相比，宽禁带材料具有更高的禁带宽度和击穿电压，可实现更高的电流密度、更高的开关频率以及更低的总损耗
什么是MOSFET栅极氧化层？如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性？
随着电力电子技术的不断进步，碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐，成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分，栅极氧化层对器件的整体性能和使用寿命
发表于 01-04 12:37
工商网监
评论