国信光电子创新中心发布首款2Tb/s硅光互连芯粒

5 月 10 日讯，国家信息光电子创新中心与鹏城实验室合作研发成功首款国产 2Tb/s 硅光互连芯片，并首次在中国展示了 3D 硅基光电芯粒架构，在单片内实现了高达 8×256Gb/s 的单向互连带宽。

该团队在 2021 年 1.6T 硅光互连芯片的基础上，运用先进的光电协同设计仿真方法，开发出适配硅光的单路超 200G driver 和 TIA 芯片，同时攻克了硅基光电三维堆叠封装工艺难题，形成了完整的硅光芯片 3D 芯粒集成方案。

经过系统传输测试，8 个通道在 224Gb/s PAM4 光信号速率下，TDECQ 均在 2dB 以内。通过进一步链路均衡，最高可支持速率达 8×256Gb/s，单片单向互连带宽达到 2Tb/s。

此项研究成果将广泛应用于下一代算力系统及数据中心所需的各类光模块产品中，为我国信息光电子技术的发展提供了新的可能。