据悉,韩国 SK 海力士旗下的 SK 海力士系统集成电路正考虑出售其在无锡晶圆厂 49.9%的股权给无锡产业发展集团有限公司。这笔交易将有助于SK 海力士系统集成电路拓展中国市场。
SK 海力士系统集成电路自 2018年起独立运营,专注于8英寸晶圆成熟制程代工业务,涵盖汽车PMIC、电视DDI等多个领域。而无锡产业发展集团有限公司则是无锡市政府下属的国有企业集团,2023年营收达到了789.81亿元人民币。
此次股权转让计划分两步进行。首先,SK 海力士系统集成电路将以2054亿韩元(约合10.87亿元人民币)的价格向无锡产业发展集团出售无锡晶圆厂21.33%的股份。随后,无锡产业发展集团将通过有偿增资的方式获得剩余28.6%的股份。
交易完成后,SK 海力士系统集成电路与无锡产业发展集团将各持有无锡晶圆厂50.1%和49.9%的股份,但SK 海力士系统集成电路仍将保持对无锡晶圆厂的实际控制权。
此外,SK 海力士系统集成电路还将以1209亿韩元(约合6.4亿元人民币)的价格向无锡产业发展集团转让部分工艺技术等无形资产。
韩国媒体hankyung分析称,SK 海力士系统集成电路此举旨在强化无锡晶圆厂与中国市场的联系,进一步扩大在华业务。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
集成电路
+关注
关注
5469文章
12761浏览量
376336 -
晶圆
+关注
关注
53文章
5482浏览量
132934 -
SK海力士
+关注
关注
0文章
1019浏览量
42035
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
SK海力士正式发布控温散热存储技术“iHBM”
近日,SK海力士正式发布控温散热存储技术"iHBM",核心思路很直接——不在封装外面想办法散热,而是把冷却元件直接做进HBM封装内部。计划应用于HBM5等下一代产品,瞄准AI数据中心和高性能计算场景。
SK海力士荣获2026年IEEE企业创新奖
SK海力士(或‘公司’)26日宣布,公司于当地时间24日在美国纽约举行的“2026年IEEE*荣誉颁奖典礼”上,荣获企业创新奖(Corporate Innovation Award)。
AI浪潮下的业绩狂飙:SK海力士2026年一季度财报深度解析
、运营利润37.61万亿韩元的成绩,分别大幅超出分析师预期的29.39万亿韩元和35.7万亿韩元,展现出强劲的盈利能力。在AI产业爆发式增长的背景下,SK海力士的这份财报不仅是自身发展
SK海力士携AI存储器产品亮相NVIDIA GTC 2026
韩国首尔,2026年3月17日——SK海力士(简称‘公司’,https://www.skhynix.com)17日宣布,将于3月16日至19日(当地时间)参加在美国加利福尼亚州圣何塞举行的“英伟达GTC 2026(GPU技术大会)”。
KV缓存黑科技!SK海力士“H³存储架构”,HBM和HBF技术加持!
据韩国经济日报报道,SK海力士近日在IEEE(电气与电子工程师协会)全球半导体大会上发表论文,提出了一种全新的存储架构。据悉,该架构名为“H³(hybrid semiconductor
特瑞仕与PANJIT集团签署股权转让协议
INC.(以下简称“PANJIT”)签署的股权转让协议。根据该协议,特瑞仕将其持有的合并子公司 TOREX VIETNAM SEMICONDUCTOR CO., LTD.(以下简称“TVS”)95%的股权
SK海力士HBS存储技术,基于垂直导线扇出VFO封装工艺
电子发烧友网综合报道,据韩媒报道,存储行业巨头SK海力士正全力攻克一项全新的性能瓶颈技术高带宽存储HBS。 SK海力士研发的这项HBS技术采用了创新的芯片堆叠方案。根据规划,该技术
SK海力士发布未来存储路线图
电子发烧友网综合报道,近日,韩国首尔举行的“SK AI Summit 2025”峰会上,SK海力士CEO郭鲁正(Kwak Noh-Jung)正式宣布了公司向 “全线AI存储创造者”(Full
SK海力士ZUFS 4.1闪存,手机端AI运行时间缩短47%!
电子发烧友网综合报道,SK海力士宣布,已正式向客户供应其全球率先实现量产的移动端NAND闪存解决方案产品ZUFS 4.1。 SK海力士通过与客户的密切合作,于今年6月成功完成了该产
SK集团旗下三家ICT企业携手举行电脑捐赠
近日,SK集团旗下在锡三家ICT企业,SK海力士半导体(中国)有限公司,英普赛信息技术(无锡)有限公司,爱思开希恩希系统(北京)有限公司在旺
SK海力士321层4D NAND的诞生
SK海力士致力于成为“全方位面向AI的存储器供应商(Full Stack AI Memory Provider)”,不仅在DRAM领域持续创新,在NAND闪存(NAND Flash,以下简称NAND
SK海力士在微细工艺技术领域的领先实力
SK海力士的成功神话背后,离不开众多核心技术的支撑,其中最令人瞩目的便是“微细工艺”。通过对肉眼难以辨识的微细电路进行更为精细化的处理,SK海力士凭借压倒性的技术实力,引领着全球半导体
SK海力士HBM技术的发展历史
SK海力士在巩固其面向AI的存储器领域领导地位方面,HBM1无疑发挥了决定性作用。无论是率先开发出全球首款最高性能的HBM,还是确立并保持其在面向AI的存储器市场的领先地位,这些成就的背后皆源于SK
SK海力士宋清基TL荣庸发明日铜塔产业勋章
SK海力士宣布,5月19日于首尔COEX麻谷会展中心举行的“第60届发明日纪念仪式”上,来自HBM开发部门的宋清基TL荣庸铜塔产业勋章。
SK海力士转让49.9%晶圆厂股权给无锡产业发展集团
评论