英特尔与美防部联手研发全球最尖端芯片制造技术

2023年4月23日，美国著名半导体厂商英特尔宣布与美国防部深化合作，致力开发全球最先进的芯片制造流程。此项合作以双方于两年半前签订的“快速可靠微电子原型”（RAMP-C）项目第一阶段为基础进行扩展。

据IT之家观察，此次合作将首次让美方掌握顶尖芯片制造技术。在此过程中，双方将携手打造采用英特尔未来18A制造工艺的芯片样本，18A制造工艺主要服务于高性能计算及图像处理市场，对芯片的强大计算力有极高要求。

英特尔将利用18A制造工艺为美国国家安全应用提供芯片，这也是其与DIB（国防工业基地）客户的重要合作内容，这些客户涵盖了国防承包商如诺格公司和波音，以及商业领域的巨头如微软、英伟达和IBM等。

英特尔的18A是其下一代制程工艺，根据公司早先公布的信息，其前一代20A制程预计将于2024年投入生产。去年底，英特尔详细披露了18A制程的关键参数，CEO帕特·基辛格表示，18A制程的研发进度超出预期。

英特尔在声明中指出，RAMP-C项目的第三阶段充分展示了其18A制程技术、知识产权和生态系统解决方案已具备量产条件。基辛格特别强调了英特尔18A芯片卓越的功耗管理能力，并认为其优于台积电的2纳米制程工艺。

从命名来看，英特尔18A制程相当于1.8纳米制程。在芯片制造领域，制程越小意味着电导率和性能越高。现代芯片能在极小的空间内容纳数十亿个晶体管，从而处理海量数据。

美国国防部微电子工程负责人谢诺伊博士表示，五角大楼预计将在2025年完成使用英特尔18A制程芯片的原型生产。RAMP-C项目的第三阶段将聚焦于芯片设计的定型，这是设计流程的最后环节，工程师将将设计理念转化为指导芯片制造机器的掩模版。

值得一提的是，英特尔本月初启用了全球首台最先进的芯片制造设备——高数值孔径极紫外（high NA EUV）光刻机。英特尔表示，该设备可简化设计流程，进而缩短芯片制造周期。