0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

通过晶圆粘合来评估创新兆声清洗技术

jf_01960162 来源:jf_01960162 作者:jf_01960162 2024-04-07 14:28 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

引言

自20世纪90年代以来,半导体晶片清洗目前被研究以解决前端和后端污染问题。主要问题之一是表面颗粒污染。微电子、MEMS或3D工艺中的许多应用需要非常干净的表面。其中,直接晶片键合(DWB)在颗粒清洁度方面有非常严格的要求。事实上,对于200毫米的硅晶片,已知直径为1微米的颗粒会产生直径约为1厘米的键合缺陷。这里,除了粒子的经典表面表征之外,DWB技术可以被提议作为测试兆频超声波技术用于粒子污染物去除表征的效率的有用方式。英思特将这项工作的重点放在使用创新的兆频超声波清洁技术清洁颗粒表面,并使用这两种技术对其进行表征。

实验与讨论

英思特公司在这些实验中使用了径向均匀面积的兆频超声波换能器MegPie(参见图1)。该换能器将声能耦合到由基底和换能器表面形成的充满流体的间隙中。在图1a中,高阻表就位,声能关闭。在图1b中,兆频超声波功率是开启的,频率约为1MHz,功率密度为1W/cm。我们可以看到流体内部产生的兆声波。这种形式和谐振器设计确保了在没有扫描运动的情况下,在旋转基底的整个表面上均匀的声学剂量。持续监控正向和反射RF功率以及晶体温度,确保一致和可重复的声学处理条件。

image.png

图1:面积兆频超声波换能器
image.png

图2:Megpie清洗前后的晶圆示例

在图2中,我们可以看到粒子贴图的例子。大多数剩余的粒子根本没有移动。这意味着MegPie工艺不会同时添加和去除大量颗粒,而是持续清洁表面。

结论

图案化表面带来的挑战使得使用DWB作为颗粒去除效率的测试工具变得更加有趣。事实上,很难描述非平面表面上的颗粒污染。例如,我们已经通过在硅晶片的顶面锯出100μm深的线来构图晶片。在锯切之后,由于颗粒污染,不可能将晶片结合到干净的表面上。在这种表面上,也不建议用刷子清除颗粒,因为锋利的线边缘可能会切割刷子材料。然后,我们使用Megpie来清洁表面。在图3中,我们可以看到我们能够将该表面焊接在干净的晶片上,这证明了图案化表面上的清洁技术的良好效率。

image.png

图3:在切割100μm深的线后,图案化晶片的声学特征

审核编辑 黄宇

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 清洗技术
    +关注

    关注

    0

    文章

    18

    浏览量

    6659
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    清洗的工艺要点有哪些

    清洗是半导体制造中至关重要的环节,直接影响芯片良率和性能。其工艺要点可归纳为以下六个方面:一、污染物分类与针对性处理颗粒污染:硅粉、光刻胶残留等,需通过物理擦洗或
    的头像 发表于 12-09 10:12 108次阅读
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b><b class='flag-5'>清洗</b>的工艺要点有哪些

    清洗的核心原理是什么?

    清洗的核心原理是通过 物理作用、化学反应及表面调控的协同效应 ,去除表面的颗粒、有机物、
    的头像 发表于 11-18 11:06 112次阅读

    清洗有什么潜在损伤

    清洗通过高频振动(通常0.8–1MHz)在清洗液中产生均匀空化效应,对
    的头像 发表于 11-04 16:13 187次阅读
    <b class='flag-5'>兆</b><b class='flag-5'>声</b>波<b class='flag-5'>清洗</b>对<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b>有什么潜在损伤

    清洗设备有哪些技术特点

    清洗设备作为半导体制造的核心工艺装备,其技术特点融合了精密控制、高效清洁与智能化管理,具体体现在以下几个方面: 多模式复合清洗
    的头像 发表于 10-14 11:50 185次阅读

    清洗后的干燥方式

    清洗后的干燥是半导体制造中的关键步骤,其核心目标是在不损伤材料的前提下实现快速、均匀且无污染的脱水过程。以下是主要干燥方式及其技术特点:1.旋转甩干(SpinDrying)原理:将
    的头像 发表于 08-19 11:33 1013次阅读
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b><b class='flag-5'>清洗</b>后的干燥方式

    清洗工艺有哪些类型

    清洗工艺是半导体制造中的关键步骤,用于去除表面的污染物(如颗粒、有机物、金属离子和氧化物),确保后续工艺(如光刻、沉积、刻蚀)的良率
    的头像 发表于 07-23 14:32 1173次阅读
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b><b class='flag-5'>清洗</b>工艺有哪些类型

    清洗机怎么做夹持

    清洗机中的夹持是确保
    的头像 发表于 07-23 14:25 798次阅读

    不同尺寸清洗的区别

    不同尺寸的清洗工艺存在显著差异,主要源于其表面积、厚度、机械强度、污染特性及应用场景的不同。以下是针对不同尺寸(如2英寸、4英寸、6
    的头像 发表于 07-22 16:51 1253次阅读
    不同<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b>尺寸<b class='flag-5'>清洗</b>的区别

    表面清洗静电力产生原因

    表面与清洗设备(如夹具、刷子、波喷嘴)或化学液膜接触时,因材料电子亲和力差异(如半导体硅与金属夹具的功函数不同),发生电荷转移。例如,
    的头像 发表于 05-28 13:38 640次阅读

    扩散清洗方法

    法) RCA清洗清洗的经典工艺,分为两个核心步骤(SC-1和SC-2),通过化学溶液去除有机物、金属污染物和颗粒124: SC-1(A
    的头像 发表于 04-22 09:01 1178次阅读

    浸泡式清洗方法

    浸泡式清洗方法是半导体制造过程中的一种重要清洗技术,它旨在通过
    的头像 发表于 04-14 15:18 708次阅读

    一文详解清洗技术

    本文介绍了清洗的污染源来源、清洗技术和优化。
    的头像 发表于 03-18 16:43 1549次阅读
    一文详解<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b><b class='flag-5'>清洗</b><b class='flag-5'>技术</b>

    全自动清洗机是如何工作的

    都说清洗机是用于清洗的,既然说是全自动的。我们更加好奇的点一定是如何自动实现
    的头像 发表于 01-10 10:09 1039次阅读

    8寸清洗工艺有哪些

    8寸清洗工艺是半导体制造过程中至关重要的环节,它直接关系到芯片的良率和性能。那么直接揭晓关于8寸
    的头像 发表于 01-07 16:12 769次阅读

    8寸清洗槽尺寸是多少

    ? 1、不同型号的8寸清洗机,其清洗槽的尺寸可能会有所不同。例如,某些设备可能具有较大的清洗槽以容纳更多的
    的头像 发表于 01-07 16:08 540次阅读