英特尔揭示代工技术发展规划，18A节点将助其重回一流

据悉，英特尔日前举行了一次关于其代工业务的网络研讨会，其中以为何展现数据中心部门从财务角度看独立性，以及展示英特尔未来代工技术的发展路径为主题。

根据制程工艺规划，英特尔计划在未来重新成为顶尖代工厂，并在18A节点拥有主导地位，同时在已经到来的14A节点取得领先优势。

在功耗方面，现有的Intel 7节点处于劣势，然而英特尔预计在即将到来的Intel 3节点追平行业领跑者（台积电），并在18A节点超越其他竞争对手，且在14A节点保住优势。

Density方面，现行的Intel 7节点相比同行表现不佳，但英特尔正在通过Intel 3节点缩小这个差距，并计划在18A节点赶超其他对手，最后在14A节点实现较小优势。

英特尔也坦承，Intel 7节点的制造成本现在相对较高，不过他们期待通过跨越Intel 3至14A这些节点，来降低晶圆成本。

基于AI处理的市场需求，未来几年英特尔计划进军更大的代工蛋糕，包括能够在14A节点进行移动设备的代工生产。

英特尔还强调他们将逐步弥补传统IDM模式下设计支持的短板，使其向业内平均水平靠近。

另外，未来几年内，我们将看到英特尔在包括2.5D/3D在内的先进封装技术方面的显著进展。

英特尔指出，他们作为迎接人工智能时代的系统代工厂，将会通过全面的技术创新，持续推进摩尔定律的发展。

在实现技术目标的过程中，英特尔不仅投入了大量资源加强硅光子学的研究，而且还在PCIe和SerDes领域不断丰富自己的技术储备。

同样重要的是，英特尔正在探索内核功率达到惊人的1000瓦的芯片散热方案，并计划在2030年前实现对2000瓦的芯片进行有效冷却。

在极端情况下，英特尔甚至做好了同时连接8个HBM堆栈的准备，并表示未来可能会将这一能力提升至12个或以上；此外，他们还在研究探索全新的存储技术。

关于Foveros 3D Direct高级封装技术，英特尔的目标是在约2027年实现4微米的连接精度。

此外，英特尔还透露了其玻璃基板应用的具体时间表，预计这项技术会在2027年得到广泛应用，比业界普遍预期的2026年稍晚一些。