CSTIC 2024聚焦半导体技术，紫光国芯展示SeDRAM突破存储墙方案
2024年，备受瞩目的集成电路科学技术大会（CSTIC 2024）在上海国际会议中心盛大召开。此次大会由SEMI和IEEE-EDS联合主办，吸引了众多半导体技术领域的专家学者和企业代表。
在会议中，西安紫光国芯半导体股份有限公司副总裁左丰国发表了一场关于SeDRAM®技术的精彩演讲。他详细介绍了紫光国芯如何利用这一创新技术，在芯片级别上突破了“存储墙”的难题。
SeDRAM®技术凭借其独特的堆叠嵌入式DRAM设计，能够为算力芯片提供惊人的内存访问带宽，高达每秒数十TB，同时保持高达数十GB的存储容量。这一技术的核心在于利用异质集成工艺，将DRAM存储阵列晶圆和逻辑晶圆进行3D堆叠，实现金属层的直接互连。与传统HBM或DDR内存方案相比，SeDRAM®技术省去了PHY-PHY互连结构，从而实现了超大带宽、超低功耗和低延迟的数据互连。
此次演讲不仅展示了紫光国芯在半导体技术领域的领先实力，也为整个行业提供了全新的思考角度和解决方案。
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