英伟达拟向三星采购高带宽存储芯片，追赶AI芯片巨头SK海力士

据报道，英伟达拟自三星购买高带宽存储（HBM）芯片，此乃AI芯片核心器件之一。而SK海力士已率先启动下一代HBM3E芯片的大规模生产。

对此，英伟达联合创始人兼首席执行官黄仁勋在加利福尼亚州圣何塞举办的大会上，坦言：“HBM结构相当精密且附加价值极高，我司已在此领域做出大量投资。”他进一步透露，公司正对三星的HBM芯片进行资质审核，并将未来陆续采用这些产品。

随着人工智能浪潮席卷而来，因为相较于常规存储芯片，HBM能带来更快的计算速度，已然成为了其中极为关键的一环。黄仁勋指出：“HBM无疑是科技创新的典范。”同时也强调，由于新型节能型超算芯片逐渐普及，HBM将有力助推全球实现可持续发展。

身为AI芯片市场领导者，SK海力士为英伟达独家供应HBM3芯片。尽管未公布新的HBM3E的客户清单，但有消息称，该新芯片将首先面向英伟达，应用于最新研发的Blackwell GPU。

三星为紧随竞争对手步伐，持续加大HBM投入力度，其于2023年2月布消息称，成功研制出业界首款12层堆栈HBM3E DRAM，据悉，这款产品容量最大。三星方面表示，预计上半年正式启动该芯片量产。