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三星的HBM3芯片生产良率约为10-20%!

中国半导体论坛 来源:国芯网 2024-03-13 13:46 次阅读

3月13日消息,据外媒报道,三星电子将采用竞争对手 SK 海力士主导的 MR-MUF(批量回流模制底部填充)芯片封装工艺,而非此前坚持使用的非导电薄膜(NCF)技术。

三位直接知情人士称,三星已经发出了处理 MR-MUF 技术的设备采购订单。“三星必须采取一些措施来提高其 HBM 良率…… 采用 MUF 技术对三星来说有点像是抛弃自尊心的决定,因为这相当于效仿了 SK 海力士的行为。”

有分析师表示,三星的 HBM3 芯片生产良率约为 10-20%,而 SK 海力士的 HBM3 生产良率约为 60-70%。随着 AI 行业的火热,业界对于 HBM3 和 HBM3E 需求越来越高,三星必须尽快做出改变。

消息人士称,三星还在与包括日本长濑集团在内的材料供应商洽谈采购 MUF 材料的事宜,但使用这一技术的高端芯片最早要到明年才能实现量产,因为三星还需要进行大量测试。IT之家注:长濑产业株式会社是拥有近 200 年历史的日本十大商社之一,是全世界最大的专业化工商社。

三位消息人士还表示,三星计划在其最新的 HBM 芯片中使用 NCF 和 MUF 技术。

三星回应称,其内部开发的 NCF 技术是适用于 HBM 产品的“最佳解决方案”,并将用于其 HBM3E 芯片,后续“将按照计划推进 HBM3E 产品业务”,而英伟达和长濑拒绝置评。


审核编辑:刘清

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原文标题:三星HBM3良率仅为20%!

文章出处:【微信号:CSF211ic,微信公众号:中国半导体论坛】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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