SK海力士斥资逾10亿美元增强测试封装能力

3 月 7 日报道，SK 海力士为了保持在高带宽内存（HBM）存储芯片领域的优势，预计到 2024 年投资超 10 亿美元以增强韩国境内的测试和封装实力。预估消息显示，SK 海力士今年总额将达 105 亿美元的资本支出。

彭博社表示，测试和封装在总费用中的占比达到了 10%，足见 SK 海力士对该业务的重视程度。IT之家进一步披露，此项任务交给了 Lee Kang-Wook 负责，他拥有丰富的经验，曾在三星电子任职期间，擅长将多种半导体材料融合并开发新型互联技术。

Lee Kang-Wook的观点是，未来半导体产业 50 年将关注芯片封装技术，结束长期依赖硅加工相关组件的阶段。他效力于 HBM2E 内存芯片包装技术的研发，正是此处的技艺精湛，使 SK 海力士成为英伟达的重要AI芯片供应商。

值得注意的是，Lee Kang-Wook早在 2002 年起便领导堆叠半导体元件层间互连技术的研发。在此过程中，他打造出的技术为此后 HBM 内存芯片的问世铺平道路，最新的 HBM 内存芯片由 12 个堆积层垂直相连。

据了解，2013 年向市场推出 HBM 的 SK hynix 以及 AMD，在此后的两年时间里一直独树一帜，直至 2015 年年末，三星才推出 HBM2。而现在，SK hynix正联合日本企业共同开发更先进的 HBM 存储器芯片的垂直互连技术。二月底，三星宣称已经成功研发 12 层 HBM3E 芯片，单个堆栈最高可提供 36GB 的内存。与此同时，美光科技亦公布 8 层 HBM3E 内存，单个堆栈容量达 24GB。