据悉,中国碳化硅(SiC)衬底价格近期大幅下滑,本国供应商间激烈的竞争使该趋势预计将持续到2024年底。此降价趋势源自国际半导体IDM等大型厂商的订购需求无法满足国内供应商生产能力。
尽管部分中国企业计划加大本土供应链采购力度以降低成本,然而考虑到安全性和可靠性问题,一些电动汽车制造商可能不会完全依赖或提高本土供应份额,从而使得实际自给率未如之前宣扬的那般理想。
值得注意的是,西方主要的碳化硅供应商如意法半导体、英飞凌、安森美、罗姆电子等均享有广大中国市场份额,并成为包括外国及中国合资汽车品牌在内各大汽车制造商的首选供应商。
尽管中国本土供应商近日将一线产品的售价下调了约30%,但全球其他地区的价格尚且平稳。以主流6英寸碳化硅衬底为例,国际供应商报价大约在750至800美元;相较之下中国制造商的售价原本较低约5%,如今差距已拉大至约30%。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
电动汽车
+关注
关注
156文章
12552浏览量
236255 -
供应链
+关注
关注
3文章
1759浏览量
41424 -
碳化硅
+关注
关注
25文章
3324浏览量
51732
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
探针式碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪的操作规范与技巧
本文围绕探针式碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪,系统阐述其操作规范与实用技巧,通过规范测量流程、分享操作要点,旨在提高测量准确性与效率,为半导体制造过程中碳化硅衬底 TTV 测量提供标准
【新启航】探针式碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪的操作规范与技巧
摘要
本文围绕探针式碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪,系统阐述其操作规范与实用技巧,通过规范测量流程、分享操作要点,旨在提高测量准确性与效率,为半导体制造过程中碳化硅衬底 TTV 测量提
【新启航】碳化硅衬底 TTV 厚度测量中表面粗糙度对结果的影响研究
摘要
本文聚焦碳化硅衬底 TTV 厚度测量过程,深入探究表面粗糙度对测量结果的影响机制,通过理论分析与实验验证,揭示表面粗糙度与测量误差的关联,为优化碳化硅衬底 TTV 测量方法、提升
【新启航】国产 VS 进口碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪的性价比分析
本文通过对比国产与进口碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪在性能、价格、维护成本等方面的差异,深入分析两者的性价比,旨在为半导体制造企业及科研机构选购测量设备提供科学依据,助力优化资源配置。
国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构
到IDM模式的战略转型 国产SiC碳化硅功率半导体企业发展历程诠释了中国半导体产业的转型升级路径。国产SiC碳化硅功率半导体企业创立初期采用
CREE(Wolfspeed)的垄断与衰落及国产碳化硅衬底崛起的发展启示
)的垄断与衰落 技术垄断期:Wolfspeed(原CREE)曾长期主导全球碳化硅衬底市场,其物理气相传输法(PVT)生长技术及6英寸衬底工艺
环球晶宣布:6英寸碳化硅衬底价格趋于稳定
近日,环球晶董事长徐秀兰表示,主流6英寸碳化硅(SiC)衬底的价格已经稳定,但市场反弹仍不确定。中国台湾制造商正专注于开发8英寸SiC
碳化硅衬底的特氟龙夹具相比其他吸附方案,对于测量碳化硅衬底 BOW/WARP 的影响
一、引言
随着碳化硅在半导体等领域的广泛应用,对其衬底质量的检测愈发关键。BOW(翘曲度)和 WARP(弯曲度)是衡量碳化硅衬底质量的重要参数,准确测量这些参数对于保证器件性能至关重要
不同的碳化硅衬底的吸附方案,对测量碳化硅衬底 BOW/WARP 的影响
在当今蓬勃发展的半导体产业中,碳化硅(SiC)衬底作为关键基础材料,正引领着高性能芯片制造迈向新的台阶。对于碳化硅衬底而言,其 BOW(弯曲度)和 WARP(翘曲度)参数犹如精密天平上
碳化硅衬底的环吸方案相比其他吸附方案,对于测量碳化硅衬底 BOW/WARP 的影响
在半导体领域,随着碳化硅(SiC)材料因其卓越的电学性能、高热导率等优势逐渐崭露头角,成为新一代功率器件、射频器件等制造的热门衬底选择,对碳化硅衬底质量的精准把控愈发关键。其中,
什么是MOSFET栅极氧化层?如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?
氧化层?如何测试碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?”让我们一起跟随基本半导体市场部总监魏炜老师的讲解,揭开这一技术领域的神秘面纱。
发表于 01-04 12:37

中国碳化硅衬底价格骤降,外资企业仍主导市场
评论