三星拟在DRAM中运用模压填充技术提升性能

三星正着手采用MUF技术来提升其DRAM性能。据TheElec消息报道，近期该公司针对一款3D堆栈内存进行了MR MUF工艺测试，尽管此项技术在吞吐量上有所提高，但其物理特性却有所下降。

依照测试结果，三星认为MUF并不适应于HBM，但对于3DS RDIMM却具有极高的适用性。目前，3DS RDIMM使用的是硅通孔（TSV）技术，主要服务于服务器领域。

MUF为一种在半导体上制作微小孔洞，同时将上下层半导体结合的技术。借助这种方式，可以将垂直排列的多个半导体紧密地连接并固定。

此前，三星已在其现有注册双列直插式内存模块（RDIMM）中应用了热压非导电膜（TC NCF）技术；相比之下，SK海力士则偏向选用Mass Re-flow Molded Underfill（MR-MUF，即大规模重新流动模塑填充剂）以制造HBM。

值得注意的是，为防止晶圆弯曲，业内普遍认为选用MUF材质可能更为理想。据悉，SK海力士使用的就是与Namics共同研发的首选MUF化合物。然而，据知情人士透露，三星正在与三星SDI联合尝试开发自家的MUF化合物，且已预订相应的模压设备。

作为全球最大的存储器制造商，若三星选择采用MUF技术，无疑将会推动这一科技成为主流趋势，从而对全球半导体材料市场产生深远影响。不过，三星电子当前尚未公开回应此事，仅表示“无法确认内部技术战略”。