0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

总投资32.7亿!第三代半导体碳化硅材料生产基地在宝安区启用

今日半导体 来源:今日半导体 2024-02-29 14:09 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

2月27日,第三代半导体碳化硅材料生产基地在宝安区启用,由深圳市重投天科半导体有限公司(以下简称“重投天科”)建设运营,预计今年衬底和外延产能达25万片,将进一步补强深圳第三代半导体“虚拟全产业链(VIDM)”,助力广东打造国家集成电路产业发展“第三极”。

芯片的生产流程可分解为“设计、制造、封装测试”,衬底和外延材料是芯片制造环节的核心基础,位于整套工艺的最上游端。当前,广东正聚力打造中国集成电路第三极,深圳则在国内率先提出了第三代半导体“虚拟全产业链(VIDM)”发展模式。

位于宝安区石岩街道的深圳市第三代半导体材料产业园,由重投天科建设运营,总投资32.7亿元,重点布局6英寸碳化硅单晶衬底和外延生产线,是广东省和深圳市重点项目、深圳全球招商大会重点签约项目。

以碳化硅为代表的 第三代宽禁带半导体材料 是继硅以后最有行业前景的 半导体材料之一,市场需求旺盛,主要应用于5G通讯、新能源汽车 电力电子以及大功率转换领域等战略性新兴产业。

国际知名市场调研机构Yole报告显示,重投天科的投资方之一,北京天科合达半导体股份有限公司(以下简称“天科合达”)是第三代半导体材料的头部企业,2022年导电型碳化硅衬底营收占全球总营收的12.8%,较2021年大幅提升,评估认为该公司2022年国内市占率为60%左右。

对于宝安项目 包括天科合达在内的各投资方 均倾注了大量资源并寄予厚望 据悉,随着该项目投产、满产,将有效解决下游客户在轨道交通、新能源汽车、分布式新能源、智能电网、高端电源、5G通讯、人工智能等重点领域的碳化硅器件产业链发展的原材料基础保障和供应瓶颈。

未来,重投天科还将设立大尺寸晶体生长和外延研发中心,并与本地重点实验室在仪器设备共享及材料领域开展合作,与重点装备制造企业加强晶体加工领域的技术创新合作,联动下游龙头企业在车规器件、模组研发等工作上联合创新,并助力深圳提升8英寸衬底平台领域研发及产业化制造技术水平。

近年来,宝安将半导体与集成电路产业作为重点布局,推动上下游企业快速集聚、聚势发展,产业规模不断扩大,初步形成了包括设计、制造、封测、设备、材料在内的全产业链生态链,已成长为宝安5个千亿级产业集群之一




审核编辑:刘清

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 集成电路
    +关注

    关注

    5464

    文章

    12692

    浏览量

    375750
  • 新能源汽车
    +关注

    关注

    141

    文章

    11481

    浏览量

    105500
  • 半导体
    +关注

    关注

    339

    文章

    31263

    浏览量

    266624
  • 芯片制造
    +关注

    关注

    11

    文章

    735

    浏览量

    30534
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    26

    文章

    3552

    浏览量

    52667

原文标题:总投资32.7亿!重投天科,6寸碳化硅项目在宝安启用

文章出处:【微信号:today_semicon,微信公众号:今日半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    碳化硅 VS 氮化镓:第三代半导体的“双雄对决”

    碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体,正凭借更高的耐压、更低的损耗和更高的工作频率,逐步取代传统硅器件,成为电源系统的“新引擎”。然而,两者虽同属宽禁带半导体,却在
    的头像 发表于 04-28 14:44 156次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b> VS 氮化镓:<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半导体</b>的“双雄对决”

    博世第三代碳化硅芯片:性能跃升20%,重构电动汽车效率新标杆

    2026年4月,博世正式推出第三代碳化硅芯片,以“综合性能提升20%”为核心突破,通过全球产能布局与技术革新,为电动汽车电驱系统注入高效能量控制新动能,标志着碳化硅半导体
    的头像 发表于 04-28 11:34 506次阅读

    基本半导体推出第三代碳化硅MOSFET顶部散热封装系列产品

    基于第三代碳化硅MOSFET技术平台,基本半导体推出QDPAK、TOLT、T2PAK-7款顶部散热封装产品。该系列产品聚焦工业与车载功率电子应用的实际痛点,
    的头像 发表于 04-23 15:32 307次阅读
    基本<b class='flag-5'>半导体</b>推出<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET顶部散热封装系列产品

    氮化硼垫片在第三代半导体功率器件SiC碳化硅IGBT单管内外绝缘应用方案

    摘要随着电力电子技术的飞速发展,第三代半导体材料SiC碳化硅因其优异的物理和电学性能,IGBT单管等高性能器件中得到了广泛应用。绝缘方案作
    的头像 发表于 03-07 11:40 1758次阅读
    氮化硼垫片在<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半导体</b>功率器件SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>IGBT单管内外绝缘应用方案

    深圳市萨科微slkor半导体有限公司是宋仕强于2015年深圳市华强北成立,当时掌握了行业领先的第三代半导体

    深圳市萨科微slkor半导体有限公司是宋仕强于2015年深圳市华强北成立,当时掌握了行业领先的第三代半导体碳化硅
    发表于 01-31 08:46

    行业快讯:第三代半导体驶入快车道,碳化硅器件成本有望年内接近硅基

    行业快讯:第三代半导体驶入快车道,碳化硅器件成本有望年内接近硅基
    的头像 发表于 01-16 11:41 549次阅读

    Neway第三代GaN系列模块的生产成本

    Neway第三代GaN系列模块的生产成本Neway第三代GaN系列模块的生产成本受材料、工艺、规模、封装设计及市场定位等多重因素影响,整体呈
    发表于 12-25 09:12

    第三代半导体碳化硅(Sic)加速上车原因的详解;

    如有雷同或是不当之处,还请大家海涵。当前各网络平台上均以此昵称为ID跟大家一起交流学习! 碳化硅第三代半导体材料的代表;而
    的头像 发表于 12-03 08:33 764次阅读
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半导体</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>(Sic)加速上车原因的详解;

    第三代半导体碳化硅 IGBT/MOSFET导热散热绝缘材料 | 二维氮化硼导热绝缘垫片

    引言1.1研究背景与意义碳化硅(SiC)作为第三代宽禁带半导体材料,相比传统硅基材料具有显著的技术优势。SiC
    的头像 发表于 11-19 07:30 2066次阅读
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半导体</b><b class='flag-5'>碳化硅</b> IGBT/MOSFET导热散热绝缘<b class='flag-5'>材料</b> | 二维氮化硼导热绝缘垫片

    基本半导体B3M平台深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技术与应用

    基础,将其定位为平面栅碳化硅(SiC)MOSFET技术的一次重要演进,其目标不仅在于追赶,更在于特定性能维度上超越市场现有成熟方案。 1.1 第三代(B3M)平台概述 B3M系列是基本半导体
    的头像 发表于 10-08 13:12 1054次阅读
    基本<b class='flag-5'>半导体</b>B3M平台深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET技术与应用

    碳化硅器件的应用优势

    碳化硅第三代半导体典型材料,相比之前的硅材料碳化硅有着高击穿场强和高热导率的优势,
    的头像 发表于 08-27 16:17 1993次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的应用优势

    国内最大!长飞先进武汉基地投产,明治传感助力半导体智造升级

    近日,总投资超200亿元的长飞先进半导体基地项目正式运营投产。该项目是目前国内规模最大的碳化硅半导体
    的头像 发表于 07-22 07:33 1436次阅读
    国内最大!长飞先进武汉<b class='flag-5'>基地</b>投产,明治传感助力<b class='flag-5'>半导体</b>智造升级

    电镜技术第三代半导体中的关键应用

    第三代半导体材料,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表,因其高频、高效率、耐高温和耐高压等性能上的卓越表现,正在成为
    的头像 发表于 06-19 14:21 916次阅读
    电镜技术<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半导体</b>中的关键应用

    SiC碳化硅第三代半导体材料 | 耐高温绝缘材料应用方案

    发展最成熟的第三代半导体材料,可谓是近年来最火热的半导体材料。尤其是“双碳”战略背景下,
    的头像 发表于 06-15 07:30 1700次阅读
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半导体</b><b class='flag-5'>材料</b> |  耐高温绝缘<b class='flag-5'>材料</b>应用方案

    第三代半导体的优势和应用领域

    )和碳化硅(SiC),它们电力电子、射频和光电子等领域展现出卓越的性能。本文将详细探讨第三代半导体的基本特性、优势、应用领域以及其发展前景。
    的头像 发表于 05-22 15:04 2871次阅读