Meta展示3D设计AR芯片原型，提升能效和性能

据外媒 IEEE Spectrum 2 月 23 日报道，Meta 在近期举办的 IEEE ISSCC 国际固态电路会议上展示了一款 3D 结构的 AR 芯片原型。这款样品的高效节能与出色性能方面的表现引人关注。

Meta 这次展示的 AR 芯片集中了其在 AR 眼镜项目 Project Aria 中的研发成果。AR 眼镜体积精巧，需要时刻待命，因此对内置的芯片性能提出了挑战。

值得注意的是，Meta 的原型芯片分为上下两部分，每个部分都只有 4.1x3.7 mm，其中的下部含有四个机器学习核心和 1 MB 本地内存，上部则集成了 3 MB 内存。通过采用台积电 SoIC 高级封装技术，两片芯片可以紧密贴合地混合键合（即铜对铜的直接连接）。

SoIC 高级封装技术的最大特点在于能够达到 2 μm 的凸块间距。尽管 Meta 的原型芯片并未充分利用 SOIC 技术的潜能，但仍有 $33，000 个信号以及 600 万个电源连接；此外，在下部芯片底部还引入了 TSV 硅通孔，用于实现电力输入和信号传输。

Meta 强调，3D 设计使芯片能够在有限的 PCB 空间内，以较低功耗提供更高性能。这种芯片间数据传输的功耗约为 0.15 pJ / Byte，与芯片内部传输原理相仿。

在具体应用层面，Meta 的最新研究成果表明，2D 芯片只能追踪单个手部动作，而 3D 芯片则可以同步追踪双手。对比之下，后者在能耗方面较前者降低高达 40%，速度亦提升 40%。

在图像处理方面，3D 芯片技术同样展现出卓越优势：2D 芯片仅能处理压缩图像，而 3D 版本在相同功耗条件下即可处理全高清级别的图像数据。