武汉新芯集成电路制造有限公司在2024年2月20日获得了“存储器及擦除方法”专利(奖项公布号码为CN117577153A)。
该发明揭示了一种新的存储器擦除技术,其独特之处在于首先接收到擦除指令,然后再评估擦除错误位置和地址是否满足擦除要求。如果确认为条件符合则启动擦除模式。在此基础上,如果擦除错误位置位于擦除错误地址所对应的存储区内,即可再次启动擦除模式,以充分清洗干净该区域。这种擦除方法操作简单,擦除迅速且高效,因为在执行擦除模式前并不需要进行预编程,因此整体步骤得到简化,使得擦除过程更为顺畅。
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