佳能预计到2024年出货纳米压印光刻机

来源：DIGITIMES ASIA

佳能预计其纳米压印光刻机将于今年出货，与ASML的EVU设备竞争市场，因为世界各地的经济体都热衷于扩大其本土芯片产能。

佳能董事长兼首席执行官Hiroaki Takeishi向英国《金融时报》表示，公司计划于2024年开始出货其纳米压印光刻机FPA-1200NZ2C，并补充说芯片可以轻松以低成本制造。2023年11月，该公司表示该设备的价格将比ASML的EUV机器便宜一位数。

佳能表示，与利用光曝光电路图案的传统光刻技术不同，纳米压印光刻不需要光源，利用简单的原理形成电路，只需将电路图案掩模转移到晶圆表面涂覆的抗蚀剂上即可。此外，纳米压印光刻技术可以一次形成复杂的二维和三维图案，与先进的逻辑曝光技术相比，功耗可降低约十分之一。

Takeishi表示，佳能并不打算从（ASML的）EUV中抢夺市场份额，公司相信多种光刻技术可以共存，为行业的整体增长做出贡献。

Ansforce首席执行官Jeff Chu表示，由于目前大容量NAND闪存采用3D堆叠结构，更适合纳米压印光刻。Bits & Chips报道称，SK海力士和Kioxia多年来一直在测试佳能的纳米压印光刻机。尽管如此，SK海力士在2023年5月表示，纳米压印光刻技术的引入可能或商业化尚未讨论。

采用该技术制造的芯片的良率还有待观察。英国《金融时报》援引分析师的话称，良率必须接近90%才能与ASML的技术竞争。Radio Free Mobile的创始人Richard Windsor表示，如果这项技术真的更先进的话，那么它现在就已经投入运行，并大量投放市场了。

Takeishi告诉英国《金融时报》，佳能已经基本解决了这个问题。然而，由于现有的芯片制造工艺是针对EUV进行优化的，因此引入新技术会遇到各种困难。

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审核编辑 黄宇