江波龙推出首颗自研32Gb 2D MLC NAND Flash
江波龙，作为国内领先的半导体存储企业，近日再次引发行业关注。继自研SLC NAND Flash系列产品实现规模化量产之后，江波龙又成功推出了首颗自研32Gb 2D MLC NAND Flash。这一创新产品采用了先进的BGA132封装技术，支持Toggle DDR模式，数据访问带宽高达400MB/s，有望广泛应用于eMMC、SSD等产品领域，为公司的存储产品组合注入了新的活力。
江波龙的这一系列成果并非偶然，而是其长期坚持创新、深耕存储技术的必然结果。多年来，江波龙一直致力于存储技术的研发与突破，不断提升产品的性能和品质。如今，随着自研2D MLC NAND Flash的推出，江波龙在半导体存储领域的竞争力得到了进一步提升，也为其未来的发展奠定了坚实的基础。
未来，江波龙将继续深耕半导体存储品牌企业的定位和布局，不断提升自身的核心竞争力。我们相信，在江波龙的引领下，中国半导体存储产业将迎来更加广阔的发展前景。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
NAND
+关注
关注
16文章
1772浏览量
141386 -
FlaSh
+关注
关注
10文章
1762浏览量
156104 -
江波龙
+关注
关注
4文章
328浏览量
28519
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
端侧AI进入爆发期，江波龙“集成存储”引领AI PC/手机、可穿戴存储创新
，国内存储龙头企业江波龙的“集成存储”绝对是独树一帜的存在。 在近日举行的CFM|MemoryS2026闪存峰会上，江波
从NOR Flash 到 NAND Flash 和SD NAND，从底层结构到应用差异
nor flash,nor nand,sd nand,spi nor,nand flash
江波龙自研主控出货破1亿颗，mSSD、UFS4.1等率先布局未来增长
近日江波龙公开谈到mSSD新品、自研主控、高端存储等进展情况。对于后续普遍预估的存储继续上涨的趋势，一方面是例如mSSD这样的产品不仅做到了
AI共创，江波龙携AI存储创新方案亮相2025数智科技生态大会
12月5至7日，由中国电信主办的“智能领航智惠共生”2025数智科技生态大会在广州盛大启幕。作为中国电信数智生态的参与者，江波龙受邀出席本次行业盛会，企业级存储事业部市场总监刘洋发表《AI共创数据
江波龙穿戴存储全景布局，为AI眼镜、手表“减负增智”
11月27日，紫光展锐在深圳举办2025智能穿戴沙龙，江波龙作为合作伙伴受邀出席，与产业链各方共同探讨智能穿戴的未来路径与创新趋势。江波
江波龙eMMC保障车载导航系统稳定运行
江波龙128GB eMMC以车规级可靠性和高速读写性能，为智能中控导航系统提供大容量存储支持。其eMMC 5.1接口与高耐久特性保障了系统快速启动、流畅运行及OTA升级稳定性。
江波龙推出业内首款集成封装mSSD，Office is Factory实现灵活、高效交付
10月20日，江波龙基于“OfficeisFactory”灵活、高效制造的商业模式，推出集成封装mSSD（全称“MicroSSD”）——通过重构常规SSD介质的定位与形态，打造出“高品
NAND Flash的基本原理和结构
NAND Flash是什么？NAND Flash（闪存）是一种非易失性存储器技术，主要用于数据存储。与传统的DRAM或SRAM不同，NAND
江波龙自研UFS4.1主控芯片，顺序读取速率高达4350MB/s，性能对标主流产品
电子发烧友网报道（文/黄晶晶）近年来，江波龙自研主控芯片取得较大的进展。截止至2025年7月底，江
集创北方联合发布首颗自研RRAM AMOLED显示驱动芯片
近日，集创北方携手清华大学集成电路学院团队与新忆科技共同推出首颗采用自研RRAM新型存储技术的AMOLED显示驱动芯片（DDIC）“集忆智显”系列首款芯片R100，这也是集创北方首次在
江波龙上海总部落成！以高端存储”芯“支点链动全球化布局
2025年8月26日，江波龙上海总部乔迁仪式在临港新片区滴水湖科创总部湾核心区顺利举行，临港新片区管委会领导、江波
CS SD NAND 在AI领域的应用和注意事项
。相比之下，CS SD NAND 提供了从 128MB 到 8GB 的灵活容量选择（未来还将推出 32GB 和 64GB 大容量版本），正好
存储大厂MLC NAND停产，旺宏电子看好eMMC放量
看好后续eMMC放量出货，将推升整体NAND营收状况。 旺宏电子称，目前市场真正短缺的并非MLC NAND 芯片本身，而是eMMC模组。随着部分厂商相继宣布停产MLC
SD卡—雷龙 SD NAND
size)、MiniSD卡和MicroSD卡。 2.特点： 1.容量大 2.高安全性 3.体积小 4.传输速度快 5.接口简单 32GB SD卡实际容量：32 * 10003 / (1024) 3
什么是Flash闪存以及STM32使用NAND Flash
据，耐久性最好。多阶存储单元（MLC）FLASH闪存在每个单元写多位数据，耐久性排名第二。三阶存储单元（TLC）在每个单元写三位数据，耐久性最差。每个单元写入的数据位越多意味着每个单元的容量越高，每GB
发表于 07-03 14:33
评论