MRAM HS4MANSQ1A-DS1可用于工业控制存储关键数据

工业现场存在大量实时控制设备，这些设备需要实时快速的保存设备状态、系统日志等关键数据。工控设备还需要应对高温、震动等恶劣环境的考验。此外，为了避免异常掉电造成的数据丢失问题，工控设备通常还需使用备用电池。

MRAM具有纳秒级高速写入、万亿次擦写寿命和宽工作温区等高性能及高可靠特性，非常适合工控场景需求，并且可以替代现有的备用电池方案。

HS4MANSQ1A-DS1是一个4M的SPI/QPI(串行单线/四线接口)MRAM 器件，该芯片可配置为1位I/O独立接口或4位I/O通用接口，数据可以保持 10年以上。HS4MANSQ1A-DS1的工作温度: -40℃~125℃，适用于低电压工作，休眠电流仅2μA，待机电流2mA，非常适合用于工业控制程序中存储关键数据。

HS4MANSQ1A-DS1快速的SPI接口：

•支持标准SPI, Quad SPI, QPI模式

•高达200MHz时钟频率@SPI SDR写

•高达100MHz时钟频率@SPI SDR读

•高达60MHz时钟频率@Quad SPI SDR写

•高达100MHz时钟频率@Quad SPI SDR读

•高达60MHz时钟频率@QPI SDR写

•高达100MHz时钟频率@QPI SDR读

•写操作没有延迟

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