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浅析IGBT元件的并联注意事项

青岛佳恩半导体有限公司 来源:青岛佳恩半导体有限公司 2024-01-25 09:11 次阅读

IGBT元件的并联注意事项

并联连接时的电流平衡:

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由于门极-发射极连线电感LG、RG、还有Cies之间的关系,如果在门极驱动环路内发生震荡,有可能因为误动作和不饱和动作而导致元件损坏。

不发生震荡的RG的最小值与√LG成正比增大。

因此,应在尽可能减小电感的同时,令RG在推荐值以上。

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● 分布电感的差距与开通和关断时的过渡电流的不均衡有关。请尽可能使IGBT之间集电极和发射极的连接线相同,并且尽可能短。

● 请对每个IGBT元件附加门极电阻,并使各门极连线电感相同且尽可能短的使用门极连接线。连接至发射极的门极配线不要连接在主端子上,请连接在专用(辅助)端子上。

● IGBT的饱和电压VCE(sat)等受温度的影响。请尽可能缩小模块间温度上升之差。

并联工作用VCE(sat)等级分类:

并联工作时,为了解决IGBT元件的均流问题,因此,每个IGBT元件的实际工作电流只能是它的额定值的80%左右。例如,四个300A模块并联时,预计总电流约为300×0.8×4=960A左右。






审核编辑:刘清

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原文标题:IGBT元件的并联注意事项

文章出处:【微信号:JNsemi,微信公众号:青岛佳恩半导体有限公司】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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