新能源车的福音:双面烧结银技术替代焊线技术,提升碳化硅模块的功率
一 利用预涂布烧结银的铜箔替代焊线
2023年初,SHAREX善仁新材协助客户推出GVF9880预烧结银焊片,帮助客户实现了双面烧结银技术的碳化硅模块。银烧结技术在所有连接连接中是高功率模组的不二选择,采用DTS预烧结银焊片GVF9880可以显著提升功率模块的功率循环:芯片连接和焊线被预烧结银焊片统一取代。
善仁新材推出的双面烧结银技术利用烧结温度约为250度的有压纳米银AS9385系列,在20MPA的压力5分钟的条件下烧结成极低孔隙率的银层。得益于银高达961°C的熔点,它将碳化硅芯片、AMB表面和GVF9880紧密的连接到一起。
GVF9880预烧结银焊片代替焊线的功能,与芯片的连接面积大大增加,浪涌电流能力增加约25%。与传统的功率模块相比,额外的性能使系统级的电流密度提高了一倍。
二 双面烧结技术的特点
1提高可靠性:烧结银和铜箔连接代替焊料和焊线;
2提高功率密度;
3提高功率循环可靠性;
4提高芯片互连的接触面积,浪涌电流增加了25%。
审核编辑 黄宇
-
功率
+关注
关注
14文章
2114浏览量
74919 -
新能源车
+关注
关注
3文章
672浏览量
25111 -
碳化硅
+关注
关注
25文章
3319浏览量
51729 -
焊线技术
+关注
关注
0文章
5浏览量
6045
发布评论请先 登录
碳化硅 (SiC) MOSFET 分立器件与功率模块规格书深度解析与应用指南
倾佳电子SiC碳化硅MOSFET功率模块在电力电子应用中对IGBT模块的全面替代
EAB450M12XM3全碳化硅半桥功率模块CREE
基本股份SiC功率模块的两电平全碳化硅混合逆变器解决方案
碳化硅MOSFET全桥模块在出口型高端逆变焊机中的应用技术优势
万亿碳化硅市场背后的隐形冠军:纳米银烧结材料国产化提速
碳化硅功率器件有哪些特点
派恩杰推出最新研发的高压碳化硅功率器件与车规级碳化硅模块产品
碳化硅SiC芯片封装:银烧结与铜烧结设备的技术探秘

新能源车的福音:双面烧结银技术替代焊线技术,提升碳化硅模块的功率
评论