MRAMHS4MANSQ1A-DS1用于物联网终端，容量可达4M

物联网的三大特征是感知物体、信息传输和智能处理。物联网的终端设备（例如可穿戴设备、智能家居等）需要在收集大量数据的同时对数据进行智能处理，并实时与数据中心和其他设备进行交互。因此物联网终端设备需要高集成度、低功耗、高速的存储芯片。

国产磁存储器HS4MANSQ1A-DS1相比传统嵌入式存储性能优势更显著，包括超快的写入速度(约20ns)；极高的擦写次数(高至10¹²)；极久的数据保持时间(20年85℃)；可在逻辑Vcc供电且无电荷泵的情况下进行写操作(写电压约2V，eFlash约10V)等。具有低功耗、高速度以及适用于先进工艺节点的高集成度等优势。

HS4MANSQ1A-DS1是一个SPI/QPI接口4M容量的磁存储器，芯片可以配置为1位I/O独立接口或4位I/O通用接口。工作温度: -40℃~125℃，适用于低电压工作，休眠电流仅2μA，待机电流2mA，非常适合用于物联网终端设备中，提供更优异的性能与更长的续航时间。

快速的SPI接口：

•支持标准SPI, Quad SPI, QPI模式

•高达200MHz时钟频率@SPI SDR写

•高达100MHz时钟频率@SPI SDR读

•高达60MHz时钟频率@Quad SPI SDR写

•高达100MHz时钟频率@Quad SPI SDR读

•高达60MHz时钟频率@QPI SDR写

•高达100MHz时钟频率@QPI SDR读

•写操作没有延迟

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