全球高性能功率半导体市场呈现新趋势

新型电动汽车（EV）与可再生能源发电的需求催生了功率半导体市场的增长，它正逐步淘汰传统的硅基功率半导体。领先制造商如日本政府支持的日本供应商开始投入精力，研发碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化镓（GaO）及金刚石等新型高性能功率半导体材料。

当前，金刚石基功率半导体仍处在开发阶段；而GaO功率半导体预计将于2023年实现量产。但在未来两、三十年内，它们才能广泛应用于市场。据富士经济市场研究预测，2022年，全球SiC功率半导体市场占有率高达97%，GaN基功率半导体市场占有率达2%且已经进入市场。

Resonac（原昭和电工）是全球SiC外延片市场的佼佼者，该公司除了与罗姆半导体、英飞凌等建立长期供货关系之外，还获得了日本企业的大量投资，以扩大其SiC功率半导体业务生产规模。如今，他们已成功签订了多份SiC材料长期供给协议。

日本新能源和产业技术综合开发机构（NEDO）已承诺投入186亿日元（1.28亿美元）研发经费，补贴涉及大型8英寸SiC生产设备和技术的相关项目。这正好与Resonac目标相符，即将其2022年至2028年间的SiC外延业务收入提高至原来的五倍。此外，Artience、住友电木等日本公司也在生产用于SiC功率半导体的耐热材料方面有所建树。

在另一边，信越化学（Shin-Etsu Chemical）推出的复合材料基板，解决了GaN外延生长问题，开始实现批量生产，提高生产效率。设备制造商冲电气工业（OKI）预计，其基于GaN衬底的相关业务将在2028年前开始盈利。根据富士经济预测，2023年全球功率半导体市场规模将达到3万亿日元，其中硅基功率半导体仍然占据主导地位（92%）。然而，预计在2022年至2023年之间，全球功率半导体市场上的硅基功率半导体增幅只有11.0%，而化合物功率半导体的增速则达到34.5%。预计在2035年，化合物功率半导体的市场体量将会达到现今的31倍之多，而同期的硅功率半导体仅可能增长3.2倍。