半导体资料丨化学镀镍沉积，钙钛矿薄膜，III 族氮化物半导体

通过化学镀镍沉积增强纳米多孔硅光电阴极的光电化学性能

可再生能源，特别是太阳能，是我们脱碳努力的关键。本文研究了纳米多孔硅及其Ni涂层杂化体系的光电化学行为。这些方法包括将Ni涂层应用于NPSi，这是一个旨在增强催化活性、光吸收和载流子传输的过程。扫描电子

使用显微镜分析了由于Ni涂层引起的NPSi表面的形态变化。结果表明，Ni涂层在NPSi表面形成了独特的结构，在15分钟的涂层时间和60◦C.发现这些条件促进电子-空穴对分离和均匀的Ni覆盖。连续50分钟的白光照射实验证实了稳定的PEC波动，显示了NPSi的特性和Ni的催化效应的相互作用。该研究为高效水分解催化剂的设计提供了实用指导

卤化物钙钛矿是下一代清洁能源收集的有力候选者

光伏技术由于功率转换效率的空前提高及其低成本、易于制造和卓越的半导体性能。通过了解钙钛矿的基础科学，如结晶动力学和电荷载流子动力学，并从元素周期表中找到各种新的钙钛矿组合，已经确定了钙钛矿材料的潜力。目前的证据表明，用于沉积卤化物钙钛矿层的合成方法是决定器件效率和稳定性的关键因素。在这篇综述中，我们的目的是研究沉积钙钛矿多晶膜和单晶层所遵循的各种合成程序。我们将总结目前对使用这些合成方法影响材料性能的理解和能力，并探索

本文综述了实现垂直器件技术的III族氮化物均外延生长的一些基本问题。重点介绍了金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长GaN，并探讨了天然衬底特性对材料的影响

质量、接口组成和设备性能。还包括对理解超宽III族氮化物半导体AlN和BN中掺杂剂的理论工作的回顾，以供未来将该技术扩展到这些材料中。

关键词：光电化学，纳米多孔，化学镀镍沉积，钙钛矿薄膜，钙钛矿单晶合成方法，氮化镓，AlN，同质外延，MOCVD，二极管，金属有机化学气相沉积，垂直器件

审核编辑 黄宇