纳微半导体GeneSiC™ 3.3kV SiC MOSFETs获年度优秀产品奖

12月13-14日，由行家说三代半主办的2023碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼于深圳国际会展中心皇冠假日酒店隆重举办，纳微半导体凭借GeneSiC 3.3kVSiCMOSFETs斩获行家极光奖 - “年度优秀产品奖”！

纳微半导体销售运营及代理商管理总监李銘釗出席颁奖仪式，并受邀参加了12月13日的SiC市场机遇与产业链协同圆桌论坛，分享了SiC（碳化硅）市场新变化，以及纳微半导体GeneSiC碳化硅功率器件如何能够在变化不定的市场中取得持续突破。

极光奖由行家说Research、行业专家、终端厂商等共同评选，旨在嘉奖SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）领域中衬底、外延、器件、模组、设备、材料等环节的最新技术成果和优秀产品。

获奖产品

GeneSiC 3.3kV SiC MOSFETs

通过将混合式的PiN Schottky（MPS）二极管单片集成到MOSFET中，纳微半导体GeneSiC 3.3kVSiCMOSFETs实现了更高效的双向性能、温度无关的开关特性、低开关和导通损耗、降低散热要求、卓越的长期可靠性、易于并联和更低的成本，并具有远超3.3kV达到3.6-3.9kV的击穿电压范围，展现了平稳的开关性能。

在电力储存领域的时代不断扩大的未来，纳微半导体GeneSiC 3.3kVSiCMOSFETs可用于实现全碳化硅的逆变器，驱动电力传输、可再生能源整合和能源储存事业的改革，以更高的系统效率、更低的工作温度及更小的芯片尺寸，加速对传统硅半导体的取代。

此次纳微半导体GeneSiC 3.3kV SiC MOSFETs荣获“年度优秀产品奖”，代表整个行业对GeneSiC碳化硅功率器件技术和实力的双重认可。未来，纳微半导体还将不断推进GeneSiC碳化硅技术研发，为更多大功率应用带来更高效、稳定的功率转换，加速我们Electrify Our World的使命。

审核编辑：刘清