瑞能半导体斩获亚洲金选奖功率半导体产品大奖

日前，经过提名和票选，瑞能半导体的“顶部散热产品系列”成功获评EE Awards Asia亚洲金选奖“功率半导体产品大奖”。

关于EE Awards Asia

EE Awards Asia 亚洲金选奖深受工程师的信赖，获奖者由ASPENCORE全球资深编辑组成的评审委员会以及来自亚洲的网站用户群共同评选产生。在专业技术媒体及科技人士的共同见证下，其评选的年度推荐榜单已经成为最佳设计解决方案的指南。

瑞能半导体顶部散热产品系列

瑞能半导体推出一系列顶部散热型表面贴装碳化硅器件，封装包括TSPAK和TOLT，产品覆盖SiC肖特基二极管与MOSFET，构成完整的产品阵容。

主要优势：

相较于传统底部散热型表贴功率器件，顶部散热封装为客户提供了更为灵活的热管理方案，可以更大程度的挖掘SiC器件的性能潜力。基于顶部散热的封装设计，可以使功率器件热量直接向散热器传递，不必经过PCB的热过孔，显著降低结到散热器热阻约17%~19%，帮助提升电路性能或减小功率器件选型降低成本。

同时，PCB设计可以采用更灵活的电流路径规划，取消热过孔或PCB散热覆铜面积后，可以获得最小的电流环路面积和极低的线路寄生感抗，使开关损耗和EMI辐射水平也降到最低，缩短产品EMC调试时间和成本。

采用顶部散热封装，不仅热性能可媲美广泛使用的、热性能稳定的TO-247等传统直插型封装，还具有基于SMD的PCB组装方式，同时避免依次安装绝缘衬套紧固螺丝，实现高效制造流程的额外优势。

瑞能提供丰富的顶部散热产品选择和组合模式，工规与车规产品均有规划。可以应用于OBC，充电桩模块，服务器电源，光伏逆变器等各种功率变换设备，帮助产品设计提高功率密度，并减少系统尺寸、重量和成本。

产品规格：

TOLT封装提供650V 20~70mΩ SiC MOSFET 以及10~20A SiC SBD。

TSPAK产品提供650V~1200V，12~150mΩ SiCMOSFET 以及10~40A SiC SBD。