台积电1.4nm工艺研发全面启动，2nm预计2025年量产

12 月 14 日，据报道，台积电在近期的美国电气及电子工程师协会（IEEE） IEDM 研讨会上宣布其 1.4nm 级别的工艺研发已全面启动，并再次确认了 2nm 级别的量产计划将于 2025 年如期实施。

SemiAnalysis自媒体Dylan Patel曝光的幻灯片显示，台积电1.4nm制程的正式名称为A14。截至目前，关于该节点的具体量产日期及参数暂未公开。但是，根据其与N2及N2P等节点的生产排期预测，我们预期A14节点将会在2027至2028年度面市。

至于技术层面，台积电此次并未选择垂直堆叠互补场效晶体管（CFET）技术，而是继续对当前的环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）做深入研究。因此，A14很有可能继续使用像N2节点这样的二代或三代GAAFET技术。

值得提到的是，N2及A14等先进节点需要系统级的协同优化，才能够实现新的性能、功耗及功能指标。

目前还无法确定台积电能否在2027至2028年内采取单价更高的High-NA EUV光刻技术用于A14制程。虽然届时英特尔及其他潜在的芯片制造商均可能使用并完善数值孔径为0.55的EUV光刻设备，这无疑会使台积电的使用更加便捷。然而，由于此类高数值孔径的EUV技术会导致掩模尺寸缩减，使得设计和制造过程面临新的挑战。

需强调的是，尽管从现在展望未来几年，未来充满变数，无法做出过于武断的猜测。但毫无疑问的是，台积电的科研团队正全力以赴地投入到新世代生产节点的研发中去。