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碳化硅(SiC)功率器件的优势和应用领域

国晶微第三代半导体碳化硅SiC 来源:国晶微第三代半导体碳化 2023-12-06 09:53 次阅读

一、引言

随着科技的不断进步,电力电子设备在我们的日常生活和工业生产中发挥着越来越重要的作用。然而,随着电力电子设备向着更高效、更小型化以及更可靠的方向发展,传统的硅基功率器件已经逐渐暴露出其局限性。此时,碳化硅(SiC)功率器件作为一种新兴的电力电子器件,以其独特的优势逐渐受到人们的关注。

二、碳化硅(SiC)功率器件的优势

高效率:碳化硅(SiC)功率器件具有低的导通损耗和高的开关频率,能有效提高电力电子设备的效率,减少能源浪费。

小型化:由于碳化硅(SiC)具有高的热导率和低的热膨胀系数,使得功率器件能够实现小型化设计,从而减少设备体积和重量。

高可靠性:碳化硅(SiC)功率器件具有高温工作能力,能在高温环境下保持稳定的性能,从而提高设备的可靠性和使用寿命。

快速开关:碳化硅(SiC)具有高的开关速度,使得功率器件能够实现高速开关,进一步提高了电力电子设备的效率。

三、碳化硅(SiC)功率器件的应用领域

电力牵引:在轨道交通和电动汽车等领域,碳化硅(SiC)功率器件能够提高牵引系统的效率和可靠性。

新能源:在风能、太阳能等新能源发电领域,碳化硅(SiC)功率器件能够提高发电效率并减小设备体积。

工业电机:在工业电机领域,碳化硅(SiC)功率器件能够提高电机的效率和可靠性,减少能源消耗。

汽车电子:在汽车电子领域,碳化硅(SiC)功率器件能够提高汽车的动力性能和燃油经济性。

四、碳化硅(SiC)功率器件的未来发展

随着科技的不断发展,碳化硅(SiC)功率器件将会在未来发挥更加重要的作用。以下几个方面将是其未来的发展方向:

制造工艺的优化:进一步提高碳化硅(SiC)功率器件的制造工艺,降低成本,提高产量。

新材料的应用:探索新的材料和设计,以进一步提高碳化硅(SiC)功率器件的性能。

系统集成:将碳化硅(SiC)功率器件与其它组件集成在一起,形成更加高效和可靠的系统。

智能控制:通过引入先进的控制算法和传感器技术,实现碳化硅(SiC)功率器件的智能控制,提高设备的效率和稳定性。

环保和可持续发展:考虑到环保和可持续发展的需求,未来的碳化硅(SiC)功率器件将更加注重节能减排,减少对环境的影响。

五、结论

碳化硅(SiC)功率器件作为一种新兴的电力电子器件,具有高效率、小型化、高可靠性和快速开关等优点,使得其在电力牵引、新能源、工业电机、汽车电子等领域具有广泛的应用前景。随着科技的不断进步,我们有理由相信,碳化硅(SiC)功率器件将在未来的电力电子设备市场中发挥越来越重要的作用。

无锡国晶微半导体技术有限公司是宽禁带第三代半导体碳化硅SiC功率器件、氮化镓GaN光电器件以及常规集成电路研发及产业化的高科技创新型企业,从事碳化硅场效应管,碳化硅肖特基二极管、GaN光电光耦继电器、单片机集成电路等产品芯片设计、生产与销售并提供相关产品整体方案设计配套服务,总部位于江苏省无锡市高新技术开发区内,并在杭州、深圳和香港设有研发中心和销售服务支持中心及办事处。

公司具有国内领先的研发实力,专注于为客户提供高效能、低功耗、低阻值、品质稳定的碳化硅高低功率器件及光电集成电路产品,同时提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务,使客户的系统性能优异、灵活可靠,并具有成本竞争力。

公司的碳化硅功率器件涵盖650V/2A-100A,1200V/2A-90A,1700V/5A -80A等系列,产品已经投入批量生产,产品完全可以对标国际品牌同行的先进品质及水平。先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级、车规级可靠性测试的碳化硅MOSFET系列产品,性能达到国际先进水平,应用于太阳能逆变电源、新能源电动汽车及充电桩智能电网、高频电焊、轨道交通、工业控制特种电源、国防军工等领域。由于其具有高速开关和低导通电阻的特性,即使在高温条件下也能体现优异的电气特性,大幅降低开关损耗,使元器件更小型化及轻量化,效能更高效,提高系统整体可靠性,可使电动汽车在续航里程提升10%,整车重量降低5%左右,并实现设计用充电桩的高温环境下安全、稳定运行。

特别在高低压光耦半导体技术方面更是拥有业内领先的研发团队。在国内创先设计开发了28nm 光敏光栅开关PVG芯片技术,并成功量产应用于60V、400V、600V高低压、低内阻、低电容的光电耦合继电器芯片、涵盖1500kVrms SOP超小封装及3750kVrms 隔离增强型常规SMD、DIP等不同封装,单路、双路、混合双路、常开常闭等电路产品,另包括200V SOI MOS/LIGBT集成芯片、100V CMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit单片机等集成电路产品,均获得市场及各重点科研单位、检测机构的新产品认定。

公司核心研发团队中大部分工程师拥有硕士及以上学位,并有多名博士主持项目的开发。公司建立了科技创新和知识产权管理的规范体系,在电路设计、半导体器件及工艺设计、可靠性设计、器件模型提取等方面积累了众多核心技术,拥有多项国际、国内自主发明专利。

“国之重器,从晶出发,自强自主,成就百年”是国晶微半导体的企业目标,我们为员工提供精彩的发展空间,为客户提供精良的产品服务,我们真诚期待与您携手共赢未来。

审核编辑:汤梓红

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原文标题:碳化硅(SiC)功率器件:未来的电力电子设备引领者

文章出处:【微信号:国晶微第三代半导体碳化硅SiC,微信公众号:国晶微第三代半导体碳化硅SiC】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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