如图2-6(a)所示,TVS二极管(ESD保护二极管)在短时间内吸收很高的过电压,其作用是避免对其它半导体器件施加过大的电压。另一方面,如图2-6(b)所示,齐纳二极管将输入电压钳制为恒定电压,并将钳制的电压提供给其它半导体器件。
因此两者的差异在于,TVS二极管吸收浪涌电压以保护其它半导体器件,而齐纳二极管为其它半导体器件提供恒定电压。
图2-6(a)TVS二极管的用途 图2-6(b)齐纳二极管的用途
[TVS二极管:参见图2-7(a)]
TVS二极管通常用于反向阻塞状态。(几乎没有电流流动,只施加电压。)
只有当电压超过一定电压(钳位电压)并施加到TVS二极管时,才会发生击穿(钳位)。
图2-7(a)TVS二极管使用区域
齐纳二极管通常用于击穿状态。
假设击穿(齐纳)电流总是在正常状态下流动。
图2-7(b)齐纳二极管使用区域
文章来源:东芝半导体
审核编辑:汤梓红
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