0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

碳化硅龙头优势扩大,预计24年衬底维持供不应求

DT半导体 来源:元大研究 2023-11-21 15:44 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

碳化硅衬底龙头率先扭亏为盈,先发厂商优势进一步扩大:

23Q3碳化硅衬底龙头厂商天岳先进优势显著扩大:Q3单季度营收端实现3.87亿元,yoy+156%,qoq+58%;利润端实现净利润0.04亿元,yoy+108%,qoq+109%,扭亏为盈;毛利率环比增长8pct至19%。

天岳先进预计可提前完成年产30万片目标,并上修产能目标至年产96万片。对比同业,天岳先进在营收体量、产能和技术等均进一步扩大先发优势,符合此前对具备量产经验和先发优势厂商将扩大优势的行业预期。

碳化硅器件厂毛利率环比降幅收窄,厂商投资策略分化

23Q3,9家碳化硅器件厂商实现营收/净利润180亿元/16亿元,同比+13%/-35%,环比+0.3%/-11%。行业整体毛利率环比下降0.44pct,较23Q2环比2.41pct降幅显著收窄。

厂商在碳化硅投入方面产生分化,注重中低端功率器件厂商受业绩波动影响,对碳化硅投入保守,而注重高端功率领域的斯达半导和三安光电保持较大投入,目前领先国内同业约1年,考虑到产能建设和下游认证周期,预计率先投入厂商将逐步扩大领先优势,在25年左右在国内获得稳固的行业地位。

碳化硅降本持续进行,预计24年国内衬底市场依旧供不应求

碳化硅衬底占器件成本的47%,衬底价格很大程度影响器件价格。当前6英寸衬底报价4000-5000元/片,较年初价格下降8.6%,预计24年可降至4000元/片以下。降本顺利进行,碳化硅整体渗透率/需求稳步提升,预计24年国内6英寸衬底需求达113万片,国内衬底厂中性预计下可生产83万片,存在30万片供给缺口,乐观估计下仍有10万片缺口,而Wolfspeed、安森美等海外龙头均表明衬底紧缺,海外厂将优先供应自身或其他海外龙头,国内衬底将维持供不应求状态。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 功率器件
    +关注

    关注

    44

    文章

    2277

    浏览量

    95650
  • 衬底
    +关注

    关注

    0

    文章

    40

    浏览量

    9641
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    26

    文章

    3588

    浏览量

    52759

原文标题:碳化硅龙头优势扩大,预计24年衬底维持供不应求

文章出处:【微信号:DT-Semiconductor,微信公众号:DT半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    200mm碳化硅衬底厚度与外延厚度的多维度影响

    我们能将碳化硅 (SiC) 衬底厚度推进到多薄而不影响性能?这是我们几十来一直在追问的问题,同时我们也在不断突破碳化硅 (SiC) 材料性能的极限——因为我们知道下一代
    的头像 发表于 02-11 15:03 409次阅读
    200mm<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b>厚度与外延厚度的多维度影响

    碳化硅器件的应用优势

    碳化硅是第三代半导体典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有着高击穿场强和高热导率的优势,在高压、高频、大功率的场景下更适用。碳化硅的晶体结构稳定,哪怕是在超过300℃的高温环境下,打破了
    的头像 发表于 08-27 16:17 2170次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的应用<b class='flag-5'>优势</b>

    碳化硅衬底 TTV 厚度不均匀性测量的特殊采样策略

    摘要 本文聚焦碳化硅衬底 TTV 厚度不均匀性测量需求,分析常规采样策略的局限性,从不均匀性特征分析、采样点布局优化、采样频率确定等方面提出特殊采样策略,旨在提升测量效率与准确性,为碳化硅衬底
    的头像 发表于 08-27 14:28 1352次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b> TTV 厚度不均匀性测量的特殊采样策略

    碳化硅衬底 TTV 厚度测量中边缘效应的抑制方法研究

    摘要 本文针对碳化硅衬底 TTV 厚度测量中存在的边缘效应问题,深入分析其产生原因,从样品处理、测量技术改进及数据处理等多维度研究抑制方法,旨在提高 TTV 测量准确性,为碳化硅半导体制造提供可靠
    的头像 发表于 08-26 16:52 1451次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b> TTV 厚度测量中边缘效应的抑制方法研究

    探针式碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪的操作规范与技巧

    本文围绕探针式碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪,系统阐述其操作规范与实用技巧,通过规范测量流程、分享操作要点,旨在提高测量准确性与效率,为半导体制造过程中碳化硅衬底 TTV 测量提供标准
    的头像 发表于 08-23 16:22 1723次阅读
    探针式<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b> TTV 厚度测量仪的操作规范与技巧

    【新启航】探针式碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪的操作规范与技巧

    摘要 本文围绕探针式碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪,系统阐述其操作规范与实用技巧,通过规范测量流程、分享操作要点,旨在提高测量准确性与效率,为半导体制造过程中碳化硅衬底 TTV 测量提
    的头像 发表于 08-20 12:01 918次阅读
    【新启航】探针式<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b> TTV 厚度测量仪的操作规范与技巧

    【新启航】碳化硅衬底 TTV 厚度测量中表面粗糙度对结果的影响研究

    摘要 本文聚焦碳化硅衬底 TTV 厚度测量过程,深入探究表面粗糙度对测量结果的影响机制,通过理论分析与实验验证,揭示表面粗糙度与测量误差的关联,为优化碳化硅衬底 TTV 测量方法、提升
    的头像 发表于 08-18 14:33 983次阅读
    【新启航】<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b> TTV 厚度测量中表面粗糙度对结果的影响研究

    【新启航】国产 VS 进口碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪的性价比分析

    本文通过对比国产与进口碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪在性能、价格、维护成本等方面的差异,深入分析两者的性价比,旨在为半导体制造企业及科研机构选购测量设备提供科学依据,助力优化资源配置。 引言 在
    的头像 发表于 08-15 11:55 1353次阅读
    【新启航】国产 VS 进口<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b> TTV 厚度测量仪的性价比分析

    碳化硅衬底 TTV 厚度测量数据异常的快速诊断与处理流程

    摘要 本文针对碳化硅衬底 TTV 厚度测量中出现的数据异常问题,系统分析异常类型与成因,构建科学高效的快速诊断流程,并提出针对性处理方法,旨在提升数据异常处理效率,保障碳化硅衬底 TT
    的头像 发表于 08-14 13:29 1468次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b> TTV 厚度测量数据异常的快速诊断与处理流程

    激光干涉法在碳化硅衬底 TTV 厚度测量中的精度提升策略

    摘要 本文针对激光干涉法在碳化硅衬底 TTV 厚度测量中存在的精度问题,深入分析影响测量精度的因素,从设备优化、环境控制、数据处理等多个维度提出精度提升策略,旨在为提高碳化硅衬底 TT
    的头像 发表于 08-12 13:20 1479次阅读
    激光干涉法在<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b> TTV 厚度测量中的精度提升策略

    【新启航】碳化硅衬底 TTV 厚度测量设备的日常维护与故障排查

    摘要 本文针对碳化硅衬底 TTV 厚度测量设备,详细探讨其日常维护要点与故障排查方法,旨在通过科学的维护管理和高效的故障处理,保障测量设备的稳定性与测量结果的准确性,降低设备故障率,延长设备使用寿命
    的头像 发表于 08-11 11:23 868次阅读
    【新启航】<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b> TTV 厚度测量设备的日常维护与故障排查

    【新启航】如何解决碳化硅衬底 TTV 厚度测量中的各向异性干扰问题

    摘要 本文针对碳化硅衬底 TTV 厚度测量中各向异性带来的干扰问题展开研究,深入分析干扰产生的机理,提出多种解决策略,旨在提高碳化硅衬底 TTV 厚度测量的准确性与可靠性,为
    的头像 发表于 08-08 11:38 1310次阅读
    【新启航】如何解决<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b> TTV 厚度测量中的各向异性干扰问题

    碳化硅晶圆特性及切割要点

    01衬底碳化硅衬底是第三代半导体材料中氮化镓、碳化硅应用的基石。碳化硅衬底
    的头像 发表于 07-15 15:00 1562次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圆特性及切割要点

    超薄碳化硅衬底切割自动对刀精度提升策略

    超薄碳化硅衬底
    的头像 发表于 07-02 09:49 819次阅读
    超薄<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b>切割自动对刀精度提升策略

    切割进给量与碳化硅衬底厚度均匀性的量化关系及工艺优化

    引言 在碳化硅衬底加工过程中,切割进给量是影响其厚度均匀性的关键工艺参数。深入探究二者的量化关系,并进行工艺优化,对提升碳化硅衬底质量、满足半导体器件制造需求具有重要意义。 量化关系
    的头像 发表于 06-12 10:03 844次阅读
    切割进给量与<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b>厚度均匀性的量化关系及工艺优化