日本晶圆厂，开发1nm

据《日经新闻》获悉，日本芯片制造商 Rapidus 和东京大学正在与法国研究机构 Leti 合作，共同开发使用 1 纳米范围技术设计芯片的基础技术。

合作伙伴最早将于明年开始积极交换人员并共享技术。Leti将贡献其在芯片组件方面的专业知识，以构建供应1纳米产品的基础设施。

Rapidus已经与IBM和比利时研发集团Imec合作，实现2027年量产2纳米芯片的目标。预计1纳米半导体最快将在2030年代进入主流。

与 2 纳米相比，1 纳米技术可将功效和计算性能提高 10% 至 20%。IBM 也在考虑在 1 纳米领域进行合作。

跨越日本、美国和欧洲的跨境合作伙伴关系预计将为下一代芯片带来稳定的供应链。

去年，Rapidus、东京大学和其他日本国立大学与日本理化学研究所联合成立了尖端半导体技术中心（LSTC）。10 月，LSTC 与 Leti 签署了一份谅解备忘录，探讨合作。

LSTC 和 Leti 希望建立设计采用 1.4 纳米至 1 纳米工艺制造的半导体所需的基本技术。制造1纳米产品需要不同的晶体管结构，而在该领域，Leti在薄膜沉积和类似技术方面实力雄厚。

Leti牵头研究新的晶体管结构，LSTC将合作评估和测试原型，以及派遣人员。

对于传统的芯片元件结构，超过一定程度的小型化会降低功率效率并限制性能提高的范围。日本在 1 纳米范围内的半导体设计开发方面没有本土技术。

有鉴于此，Rapidus和其他日本利益相关者设想通过联合研究和进口1纳米设计技术与海外研究机构和公司建立关系。Rapidus于去年在日本政府的支持下成立，旨在重振国内芯片行业。

2000年代初期，日本启动了多个旨在开发小型化技术的国家半导体项目，但均未能取得有意义的成果。由于巨大的成本负担，日本大型电子制造商退出了先进芯片的开发。

目前，日本企业只能生产40纳米工艺的半导体。

麦肯锡公司 (McKinsey & Co.) 表示，到 2030 年，全球半导体市场有望达到 1 万亿美元，而 2021 年约为 6000 亿美元。各国正在激烈竞争大规模生产先进芯片。

全球领先的三星电子和台积电预计将于 2025 年大规模生产采用 2 纳米技术的半导体。生产 4 纳米产品的英特尔计划明年开始采用 1.8 纳米工艺制造芯片。

Rapidus 将于 2025 年 4 月启动一条生产 2 纳米产品的试验生产线。该公司计划于 2027 年在北海道大规模生产半导体。

Rapidus 成立于去年 8 月，由丰田汽车和 NTT 等八家日本公司投资 73 亿日元（4,850 万美元）。经济产业省正在向 Rapidus 提供 3300 亿日元的补贴。