Power Integrations发布全球电压最高的单开关氮化镓电源IC

新型PowiGaN开关为工业应用提供了巨大的裕量，在具有挑战性的电网环境中尤为重要。

Power Integrations发布了全球电压最高的单开关氮化镓(GaN)电源IC，采用1,250 V PowiGaN开关。InnoSwitch3-EP 1,250 V IC是Power Integrations的InnoSwitch系列离线CV/CC QR反激式开关IC的最新成员，具有同步整流、FluxLink安全隔离反馈和一系列开关选项：725 V硅、1,700 V碳化硅(SiC)和PowiGaN，有750 V、900 V和现在的1,250 V型号。

Power Integrations专有的1,250 V PowiGaN技术的开关损耗不到相同电压下等效硅器件的三分之一。这导致电源转换效率高达 93%，从而实现高度紧凑的反激式电源，无需散热器即可提供高达 85 W 的功率。

据Power Integrations称，该公司继续推进高压氮化镓技术开发和商业部署的最新进展，即使是最好的高压硅MOSFET也在此过程中过时。2019 年，随着基于 GaN 的电源 IC 的大量出货，Power Integration 率先进入市场，并于今年早些时候推出了其基于 GaN 的 InnoSwitch 产品的 900 伏版本。这些新的1,250 V器件展示了更高电压GaN技术的持续发展，将GaN的效率优势扩展到更广泛的应用，包括目前由碳化硅技术服务的许多应用。

使用新型InnoSwitch3-EP 1,250 V IC的设计人员可以放心地指定1,000 V的工作峰值电压，从而实现从1,250 V绝对最大值降低80%的行业标准。这为工业应用提供了巨大的空间，在具有挑战性的电网环境中尤为重要，在这些环境中，鲁棒性是抵御电网不稳定、浪涌和其他电源扰动的基本防御措施。

审核编辑：彭菁