中微公司Prismo系列MOCVD平台成功实现高晶体质量的GaN薄膜外延

10月，为期四天的第五届全国宽禁带半导体学术会议于苏州召开。此次会议聚集了来自科研院所、高校与行业领域相关企业近700位专家、学者，一同探讨宽禁带半导体产业的发展现状和未来趋势。

中微公司集团副总裁 、MOCVD产品部总经理郭世平博士携MOCVD技术团队受邀出席了此次盛会。中微公司MOCVD高级工艺总监胡建正博士在本次大会上作了题为《大尺寸蓝光Mini/Micro-LED外延生长助力高端显示应用》的主题报告，引起在场嘉宾的广泛关注。

胡建正博士谈到，Mini/Micro-LEDs在高端显示应用领域具有高对比度、高动态范围、轻薄以及低能耗等诸多优点，近年来正受到越来越多的关注。然而，高昂的成本制约了Mini/Micro-LEDs技术的广泛应用。为此，中微公司开发了一种新的技术发展方向，即在大尺寸衬底上进行外延生长，这种方法可以有效减少芯片的边缘损失，提高良率，同时可以利用现有的集成电路制造产线进行后段集成，有助于大幅降低成本。

中微公司开发的用于Mini-LED生产的MOCVD多片机设备Prismo UniMax, 采用了PVD AlN与低温氮化镓复合缓冲层，成功实现了高晶体质量的GaN薄膜外延。同时，得益于Prismo UniMax设备创新的局部精细调温能力以及外延工艺复合缓冲层的翘曲控制，我们在8x8''蓝宝石衬底上实现了蓝光LED片内主波长均值464.8nm，片内波长均匀性（1σ）达到1.31nm。此外，中微公司还在单机片机MOCVD设备上采用了8''硅衬底进行LED生长。通过引入AlN/AlGaN缓冲层，并借助于机台实时原位翘曲监测系统，我们对MQW生长时的晶片应力进行了精准调控，成功实现了高波长均匀性的8''硅基蓝光LED，其片内波长均匀性（1σ）低至0.98nm。同时，中微公司单机片机MOCVD设备通过独特的腔体结构设计与流场控制，使得8''硅基蓝光LED的表面颗粒性能也得到了很好的控制，尺寸大于0.25um的颗粒密度仅有0.35颗/cm2。

基于中微公司Prismo系列MOCVD平台，我们成功进行了8''蓝宝石衬底和硅衬底上的蓝光LED生长，实现了优良的GaN材料质量、LED波长均匀性以及低的颗粒密度，为大尺寸外延Mini/Micro-LED的进一步应用夯实了基础。

攀登勇者，志在巅峰。中微公司瞄准世界科技前沿，紧跟行业发展趋势，坚持“四个十大”的企业文化，持续推进三维发展战略，与产业链上下游企业紧密合作，加速科技创新，共同推动第三代半导体产业的蓬勃发展。

审核编辑：彭菁