先进封装中硅通孔(TSV)铜互连电镀研究进展
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
封装
+关注
关注
123文章
7278浏览量
141096 -
电镀
+关注
关注
16文章
437浏览量
23794 -
TSV
+关注
关注
4文章
103浏览量
81266 -
硅通孔
+关注
关注
2文章
18浏览量
11795 -
先进封装
+关注
关注
0文章
270浏览量
90
原文标题：先进封装中硅通孔（TSV）铜互连电镀研究进展
文章出处：【微信号：深圳市赛姆烯金科技有限公司，微信公众号：深圳市赛姆烯金科技有限公司】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
新型铜互连方法—电化学机械抛光技术研究进展
新型铜互连方法—电化学机械抛光技术研究进展多孔低介电常数的介质引入硅半导体器件给传统的化学机械抛光（ＣＭＰ）技术带来了巨大的挑战，低ｋ 介质的脆弱性难以承受传统ＣＭＰ 技术所施加的机械
发表于 10-06 10:08
薄膜锂电池的研究进展
的最佳选择。简单介绍了薄膜锂电池的构造，举例说明了薄膜锂电池的工作原理。从阴极膜、固体电解质膜、阳极膜三个方面概述了近年来薄膜锂电池关键材料的研究进展。阴极膜方面LICOO2依旧是研究的热点，此外
发表于 03-11 15:44
应用材料公司推出15年来铜互联工艺最大变革[转]
降低成本的目的。硅通孔是垂直穿过电子发烧友片的最短互联通道，可将设备的有源侧连接到硅片的背面。但从工艺角度来看，目前的制造难点集中在需要将大于10:1深宽比的TSV互连结构用
发表于 07-12 17:17
光互连技术的研究进展
容许性。互连性能的优化除了工艺和技术上的创新和研究外,对于光互连本身的性能如带宽、时钟分配、功耗、反应时间等的提高和优化对于发挥光互连潜力必不可少,这方面也是近年来
发表于 01-29 09:19
【转帖】影响PCB电镀填孔工艺的几个基本因素
要。(4)电流密度与温度。低电流密度和低温可以降低表面铜的沉积速率，同时提供足够的Cu2和光亮剂到孔内。在这种条件 下，填孔能力得以加强，但同时也降低了电镀效率。(5)整流器。整流器是
发表于 10-23 13:34
传感器EMC的重要性与研究进展
传感器电磁抗干扰技术、PCB 电磁兼容技术及传感器电磁兼容预估技术三个方面介绍国内外传感器电磁兼容性研究进展，最后对传感器电磁兼容性研究提出一些建议。 1 引言 传感技术、通信技术和计算机技术
发表于 11-05 15:51
先进的集成微型传感器的研究进展
通过集成微型声传感器、集成微型振动传感器、集成微型传感器组和无线集成微型传感器的结构特点、性能以及研制情况,介绍目前先进的集成微型传感器的研究进展状况。关键词
发表于 06-26 10:56
•13次下载
IGBT功率模块封装中先进互连技术研究进展
随着新一代 IGBT 芯片结温及功率密度的提高，对功率电子模块及其封装技术的要求也越来越高。文
章主要介绍了功率电子模块先进封装互连技术的最新发展趋势，重点比较了芯片表面
发表于 05-06 15:15
•6次下载
先进封装中铜-铜低温键合技术研究进展
Cu-Cu 低温键合技术是先进封装的核心技术，相较于目前主流应用的 Sn 基软钎焊工艺，其互连节距更窄、导 电导热能力更强、可靠性更优. 文中对应用于先进
先进封装中铜-铜低温键合技术研究进展
用于先进封装领域的 Cu-Cu 低温键合技术进行了综述，首先从工艺流程、连接机理、性能表征等方面较系统地总结了热压工艺、混合键合工艺实现 Cu-Cu 低温键合的研究进展与存在问题，进一步地阐述了新型纳米材料烧结工艺在实现低温连接
工商网监
评论