又一家功率芯片厂商登陆创业板

8月21日，江苏协昌电子科技股份有限公司在深交所创业板挂牌上市。股票简称“协昌科技”，股票代码：301418。

本次IPO发行1833.33万股，募集资金总额9.51亿元，将用于运动控制器生产基地建设项目、补充流动资金、功率芯片封装测试生产线建设项目、功率芯片研发升级及产业化项目。

江苏协昌电子科技股份有限公司董事长、总经理顾挺表示，公司将以上市为契机，立足上下游协同优势，依托公司在“电力电子”“电机驱动与控制”等“核心底层技术”的积累，持续加大研发投入，聚焦于功率芯片、电力电子、自动控制技术的研发，不断以“技术”驱动业务发展，推出一系列具有竞争力的产品，丰富下游客户构成。

资料显示，协昌科技自成立以来专注于功率芯片的设计开发及其下游运动控制器的研发、生产和销售。目前公司建有运动控制系统、功率芯片设计、集成电路封测、表面贴装技术四大研发中心，通过江苏省专精特新“小巨人”、江苏省企业技术中心等认定，拥有有效知识产权300余件。

近年来，协昌科技逐步构建了上游功率芯片、下游运动控制产品协同发展的业务体系。根据对外销售的产品形态，协昌科技主要产品可以具体分为晶圆、封装成品、运动控制器和运动控制模块等四类。

协昌科技运动控制器的下游客户主要以大中型电动车整车厂商为主，该等客户的终端产品市场定位注重品牌形象、对运动控制器品质要求较高，公司对上述客户的业务规模持续增长。经相关数据显示，公司凭借可靠的产品质量及积极的市场开拓，在下游电动车领域的业务规模整体持续扩张，市场占有率较为稳定。

自成立以来，协昌科技便专注于运动控制软件和硬件电路的研发，即程序编写和电路设计。经过一段时间发展，在熟练掌握控制软件开发和硬件电路设计的基础上，协昌科技于2014年收购了凯思半导体，进军功率芯片，从而形成运动控制产品、功率芯片两大类。其中，运动控制产品分为运动控制器和运动控制模块，功率芯片又分为晶圆与封装成品。

协昌科技的子公司凯思半导体专注行业主流的沟槽型MOSFET研发，从60V-75V N型MOSFET起步，逐步向150V/200V及以上的中压和20V/30V及以下的低压领域延伸。目前已经实现了覆盖12V-200V电压范围的沟槽型MOSFET产品布局。协昌科技正积极筹备深沟槽栅极型超结功率MOSFET研发、内置快恢复二极管的超结功率MOSFET研发、基于SGT架构的新型IGBT芯片研发等一系列具有前瞻性的研发项目开展，不断提高自身的核心竞争力，巩固并提高现有的市场地位，推动高端功率芯片的国产化进程。

招股书显示，针对未来，协昌科技表示将始终坚持以市场需求为研发导向，技术创新为核心驱动，致力于成为国内顶尖、国际先进的功率芯片研发及运动控制产品应用企业，一方面，公司将坚持自主创新，不断加大研发投入，深入挖掘MOSFET、IGBT的前沿技术，推进新一代功率芯片产品的技术突破，加快布局SiC、GaN宽禁带半导体功率芯片的理论储备及产业化应用，成为国内功率芯片龙头企业。另一方面，加大新兴行业布局，重点针对新能源汽车、智能家居、高端装备等行业推出一系列具有技术竞争力的产品，丰富下游客户构成，提升公司的抗风险能力，保障公司持续稳定发展。