对话ADI工程师：详析热门型号放大器的应用难题

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本期为大家分享的热门问答帖来自放大器专区。赶紧来看看，您是否也有相同的疑惑？点击“阅读原文”前往论坛发帖提问获取ADI专家的支持吧~

ADHV4702增大输出电流后出现烧芯片问

想把运放 ADHV4702 的输出电流增大到100mA，采用VP2540 和 VN2540 两个 MOS 管，按照 datasheet 上的图设计电路。仿真看不到问题。但是，在实验中，ADHV4702 大概输出电流 50mA 超过1分钟就会烧芯片。已经烧了6pcs了，求帮忙。

答 你的R6太大了，改为39k试一试看。另外MOS的栅极需要电阻驱动，MOS同时需要增加过流保护，按照以下的电路修改再调试一下。

问

非常感谢您的建议！我马上安排采购器件做实验。另外，对于上面的电路图，可以改成V-端输入，V+端接地么？

答 你是想改成反相放大器结构吧？如果是改成反相放大器结构肯定也是没有问题的。TOP-1_BoostCurrent_ADHV4702+MOS_PN100V_Tran-Sim.asc（点击“阅读原文”，前往原贴下载） 问

按照您的电路图，功能仿真不对。是不是我哪个地方弄错了？

答

你的PMOS 方向反了，IRF9640的S极链接R3。另外如果要继续做板的话，建议你在运放的同相端和反相端之间加两个BAV199做保护。你可以把你的具体需求告诉，我可以帮你继续优化一下电路。但我想了解你这个电路应用场景是什么？

问嗯，实际电路中加了BAV199做保护，实际电路就是做一个正负10V正弦输入，输出正负100V驱动2k欧+6.8mH串联的负载，驱动电流最大100mA。 答

你的带宽要求多少？

问

1kHZ就可以。另外一个问题，刚才我把R6换成39k. 情况是好了很多，但是，在输出50V以上时，仍然感觉芯片的温度很烫。我想请教一下，芯片烧毁的原理是啥？是因为MOS管的大电流通过R6反馈到芯片输出端？

答 ADHV4702自身承载的功率过高所致，MOSFET的栅极需要比输出高出4V以上的阈值电压才能工作，所以R6上的压降会在4V左右，甚至更高。这样你就知道了ADHV4702的输出电流，即 4V/R6, 如果这个电流过高，乘以电源电压与输出电压的压差，基本就知道加载在放大器上的功耗了。

高压的供电的放大器都会比较热，这个是不可避免的，静态功耗的电流乘以供电电压就是这个放大器的静态功耗。肯定比一般的放大器要高。

最好要加散热器。ADHV4702肚子下面的PAD主要就是用于散热的，应该尽可能的连接更大的铜皮用于散热。

如果是1kHz，你可以将C1改为100pF~470pF之间就可以满足你需要的带宽，需要注意的是C1的耐亚最好是实际承载电压的2倍。比如你目前的输出是+/-100V, 这个电容的耐压最好选择200V。 问

上述电路在0V输出附近有这么一个奇变，这个应该是MOS管引起的。如果不提高输出电流的话，没有这个现象。麻烦问一下，这个问题该怎么解决？

答 我觉得这个可能是你导入错误的SPICE模型导致的问题，你的目标是要输出正弦信号么？从原理上说这个电路通过负反馈实现正弦信号是没有问题的。你可能需要用实际电路测试下来看是否有问题。 另外把原电路中 R10（Rsense）去掉，那个电阻我是用来采样电流的，在你的实际电路中没有意义，这个电路的输出直接挂接你的实际负载即可。

问

目标信号是随机的，是不是MOS管在输出小电流的时候引起的？上升段和下降段都有这个问题。

答 是的，因为当电流很小的时候，ADHV4702输出的电流流过39k那个电阻无法产生超过4V的阈值电压，这样MOSFET无法导通，使得在微电流的时候MOSFET处于截至状态。这个电路的问题存在于MOSFET并不是一直处于导通状态。 问

但是，ADHV4702本身具有10ma的输出能力，在小电流的时候，MOS是否工作无所谓吧？发现把39k减小就没事，是ADHV4702的驱动能力不够？

仿真结果看，把39k换成10k，失真几乎不可见。麻烦您看看，10k是否不会导致芯片烧毁，在输出100V的时候。

答 我觉得这个是跟模型相关，未必是真实的情况，10k电阻原理上是不会导致芯片烧毁的，最终电路参考下图：

阶跃响应的输出信号和R6上的瞬态电流情况参考下图：

我觉得你需要最终搭建电路实际测试一下，看最终效果。*温馨提示：提问需要问题清晰，目的明确；涉及到的产品、型号完整；对问题所在时的测试环境等描述清楚、详细，并附上原理图。这样工程师才能准确的帮助到您哦~ 寻求技术支持

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原文标题：对话ADI工程师：详析热门型号放大器的应用难题

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