三星计划2027年1.4nm工艺用上BSPDN背面供电技术

etnews报道说，三星电子将把改变半导体结构模式的“BSPDN”技术商用化。背面电源（back-power）是在晶片背面向半导体供电的革新技术，但目前还没有在世界范围内实施。

据业界透露，三星电子最近将配电技术的商用日程具体化。三星电子代工部门最高技术负责人Gitae Jeong最近在研讨会上表示：“计划到2027年在1.4纳米工程中也适用BSPDN。”

据悉，三星电子目前正在开发BSPDN，但具体的商用时期和适用对象尚属首次。该公司解释说，技术开发取得了相当大的进展，而且从半导体委托生产的特性上看，随着与发包方就设置BSPDN的讨论取得进展，日程也逐渐具体化。

背光是一项前所未有的创新技术。要想驱动半导体，就需要电力，因此过去是将电源线放在晶片上，在上面画电路。

但是随着电路的小型化，将电路和电源线刻在一边变得困难了。另外，如果电路间隔变窄，就会产生干涉，对半导体性能产生不良影响。背面电源供应克服了这一局限性，因为将电源线放置在晶片背面，将电路和电源空间分离。由于可以同时提高能源效率和半导体性能，因此，不仅是三星电子，台湾半导体、英特尔等晶圆企业也在摸索攻击性的技术开发。日本的东京电子公司（tel）和奥地利的ev group （evg）提供bspdn实现装置。

三星电子的后台办公适用时间和目标是2027年适用1.4纳米工程，但根据市场需求，日程可能会有所推迟。三星计划在确保需求后，将bspdn应用到2nm工程中。

三星电子有关负责人表示：“今后电力半导体的量产时间可能会根据顾客的日程发生变化。”三星电子的目标是，到2025年批量生产比1.4纳米领先的2纳米工程。据悉，三星电子目前正在对背面电源技术的应用进行顾客需求调查。

随着三星电子公开双面电力调配计划，预计转包企业的技术力领先竞争将愈演愈烈。目前三家公司占支配地位。被选为白波技术的领先者的英特尔计划在2024年以英特尔20a（2纳米级）工程批量生产应用该技术的半导体。英特尔还制造了自己的技术品牌powerbia，强调了背面电源供应技术的优秀性。台积电计划到2026年为止，在2纳米以下的工程上也适用该技术。