化合物半导体光电及功率器件的仿真设计、数理模型与制备
近日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业网、第三代半导体产业主办，西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所、第三代半导体产业技术创新战略联盟人才发展委员会、全国半导体应用产教融合（东莞）职业教育集团联合组织、西安和其光电股份有限公司等单位协办。
期间，“平行论坛2：光电子器件及应用”上，河北工业大学教授、天津赛米卡尔科技有限公司联合创始人张勇辉带来了“化合物半导体光电及功率器件的仿真设计、数理模型与制备”的主题报告。
报告中分享了AlGaN基深紫外发光二极管的建模与制造、激光二极管的建模与器件物理，紫外光探测器、MicroLED、电子器件的建模与制造等研究进展，涉及提高AlGaN基 DUV LED发光效率的方法及机理研究，DUV LED的低EQE和效率下降，高效半导体激光二极管的设计，光敏器件辅助实验制造，Micro-LED建模表面复合，实现高击穿电压的功率器件和设计等。
审核编辑：刘清
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
仿真器
+关注
关注
14文章
988浏览量
82995 -
LED屏
+关注
关注
0文章
188浏览量
16493 -
激光二极管
+关注
关注
8文章
169浏览量
35009 -
光探测器
+关注
关注
1文章
34浏览量
10776 -
micro-led
+关注
关注
0文章
68浏览量
8297
原文标题：河北工业大学张勇辉：化合物半导体光电及功率器件的仿真设计、数理模型与制备
文章出处：【微信号：第三代半导体产业，微信公众号：第三代半导体产业】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
京东方华灿光电亮相2024功率及化合物半导体产业国际论坛
3月24日，SEMICON China 2024展会在上海盛大开展,同期在上海召开功率及化合物半导体产业国际论坛，京东方华灿光电氮化镓电力电子研发总监邱绍谚受邀出席本次大会，并在会上做
近万人参会!2024九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会在武汉召开
4月9日，2024九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会在武汉中国光谷科技会展中心开幕。海内外化合物半导体产业链的领军企业齐聚一堂，9位国内外院士、300多名行业领军人，800多家企业代
中电化合物荣获“中国第三代半导体外延十强企业”
近日，华大半导体旗下中电化合物有限公司荣获“中国第三代半导体外延十强企业”称号，其生产的8英寸SiC外延片更是一举斩获“2023年度SiC衬底/外延最具影响力产品奖”。这一荣誉充分体现了中电化
苏州长光华芯化合物半导体光电子平台新建项目奠基仪式启动
据悉，本项目计划在2025年实现竣工并投入运营。它是省级重点项目，旨在建立高端的化合物半导体光电子研发制造平台，形成涵盖氮化镓、砷化镓、磷化铟等多种材料的2至3英寸激光器和探测器芯片产线，以及相应的
什么是氮化镓半导体器件？氮化镓半导体器件特点是什么？
氮化镓是一种无机物质，化学式为GaN，是氮和镓的化合物，是一种具有直接带隙的半导体。自1990年起常用于发光二极管。这种化合物的结构与纤锌矿相似，硬度非常高。氮化镓具有3.4电子伏特的宽能隙，可用
华林科纳研究化合物半导体中离子注入引起的起泡和薄层分裂现象学
我们华林科纳讨论了在InP、GaAs、GaN、AlN和ZnO等化合物半导体中氢和/或氦注入引起的表面起泡和层分裂。起泡现象取决于许多参数，例如半导体材料、离子注量、离子能量和注入温度。给出了化
华林科纳的化合物半导体异质集成
定制化合物半导体并将其集成到外国衬底上的能力可以带来卓越或新颖的功能，并对电子、光电子、自旋电子学、生物传感和光伏的各个领域产生潜在影响。这篇综述简要描述了实现这种异质集成的不同方法，重点介绍了离子
三星进军化合物半导体代工市场，各厂商加速入局GAN市场氮化镓行业快报
报道强调，随着全球消费电子、电动汽车领域的技术升级和需求成长，功率半导体的价格一直在上涨。因此，市场希望于碳化硅、氮化镓这样的化合物材料所制造功率半
刘开辉教授课题组在12英寸二维半导体晶圆批量制备研究中取得进展
晶圆级二维半导体的批量制备，是推动相应先进技术向产业化过渡的关键所在。二维半导体薄膜尺寸需达到与硅基技术兼容的直径300 mm（12-inch）标准，以平衡器件产量与制造成本。因此，批
我国突破12英寸二维半导体晶圆批量制备技术
该研究提出模块化局域元素供应生长技术，成功实现了半导体性二维过渡金属硫族化合物晶圆批量化高效制备，晶圆尺寸可从2英寸扩展至与现代半导体工艺兼容的12英寸，有望推动二维
衢州先导集成电路关键材料与高端化合物半导体等项目开工
衢州智造新城消息显示，衢州先导集成电路关键材料与高端化合物半导体及器件模组项目总投资110亿元，位于衢州智造新城高新片区及智造新城东港片区，总用地面积约1038亩。
工商网监
评论