国芯思辰| B2M035120YP助力电动汽车充电桩，可替代IMZ120R030M1H

新能源汽车的发展，对充电桩提出了高功率密度、大功率以及高效率等需求。充电模块作为充电桩的核心部件，其核心功能的实现主要依托于功率半导体器件发挥整流、 稳压开关、变频等作用，随着用户更加追求充电系统的小型化、高效化，功率器件作为充电桩的核心器件也面临着不断优化和升级。

充电桩所采用的功率器件主要是IGBT和MOSFET，两者均为硅基产品，而充电桩向直流快充的发展，对功率器件提出了更高的要求。为了让汽车充电变得像加油站加油一样快，车厂正在积极寻求能够提高效率的材料，目前碳化硅在其中会更具备优势。碳化硅具有耐高温、耐高压、大功率等优点，可提高能量转换效率并减小产品体积，本文主要介绍基本半导体1200V的碳化硅MOSFETB2M035120YP在充电桩中的应用优势。

基本半导体第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圆平台开发，比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。B2M035120YP导通电阻(Rdson)为35mΩ@VGS=18V，连续漏记电流ID (TC=25°C)为86A，耐高温(175℃)，可以完全替代英飞凌IMZ120R030M1H和安森美NVH4L030N120M3S，并且B2M035120YP在高温下性能略占优势。

目前，大多数纯电动车都采用车载交流充电方案，必须花上好几个小时才能充满电。大功率化 (比如30kW及以上)以实现电动车的快速充电也顺理成章成为充电桩的下一个重要布局方向。而大功率充电桩，也会带来不小的挑战，例如需要实现大功率高频转换开关操作，转换损耗所产生的热量。但B2M035120YP凭借以上优势可以很好地用于充电桩模块中、能够增强充电桩的稳定性。

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