英国创企与代工厂合作，探索石墨烯场效应晶体管工艺集成
据外媒报道，位于英国的量子计算和生物芯片领域新生企业archer materials结束了在日前发布的石墨烯场效应晶体管（gfet）的光学光刻技术验证后，正在向第一代设计代工合作伙伴验证其工艺传统硅工艺平台大规模生产的可行性测试将于2023年年底完成。
公司方面表示：“在评价什么样的成套设备及工程最适合archer技术的运营结果之后，将与商用成套设备合作，制作包括石墨烯传感器的完整的晶圆。”
与此同时，阿彻开始与全球潜在的oem合作伙伴协商早期少量生产石墨烯芯片的问题，以评估产品的可靠性。
Archer首席执行官Mohammad Choucair博士说：“核心传感器技术转移到在概念设计，使我们对生物芯片实现了令人印象深刻的发展，现在通过外包（outsourcing） oem和兼容，希望可以扩大规模。”Archer的生物芯片是通过高度敏感的石墨烯材料和强力的数据分析，改善芯片上的疾病诊断及健康结果的设计。真的会成为‘芯片实验室’。”
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
传感器
+关注
关注
2573文章
54372浏览量
786074 -
晶圆
+关注
关注
53文章
5344浏览量
131689 -
石墨烯
+关注
关注
54文章
1612浏览量
84591
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
【「AI芯片：科技探索与AGI愿景」阅读体验】+工艺创新将继续维持着摩尔神话
个演进过程中都发生了怎样的变化和启示呢？
之所以出现传统工艺平面场效应晶体管到鳍式场效应晶体管及纳米片全环绕栅极场效应晶体管的变化，主要是解决在关闭状态下也会出现的漏电流问题，它会导致
发表于 09-06 10:37
无结场效应晶体管器件的发展历程
2010年，爱尔兰 Tyndall 国家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三栅无结场效应晶体管，器件结构如图1.15所示。从此，半导体界兴起了一股研究无结场效应晶体管的热潮，每年的国际
无结场效应晶体管详解
当代所有的集成电路芯片都是由PN结或肖特基势垒结所构成：双极结型晶体管（BJT）包含两个背靠背的PN 结，MOSFET也是如此。结型场效应晶体管（JFET） 垂直于沟道方向有一个 PN结，隧道穿透
结型场效应晶体管的结构解析
结型场效应晶体管（Junction Field-Effect Transistor, JFET）是在同一块 N型半导体上制作两个高掺杂的P区，并将它们连接在一起，所引出的电极称为栅极（G），N型半导体两端分别引出两个电极，分别称为漏极（D）和源极（S），如图 1.11所示。
场效应晶体管入门指南
在现代电子学的宏伟建筑中，场效应晶体管（FET-Field Effect Transistor）是其不可或缺的基石。这些精巧的电子组件以其卓越的性能优势: 低功耗、高输入阻抗和简便的偏置需求, 在
鳍式场效应晶体管制造工艺流程
FinFET(鳍式场效应晶体管)从平面晶体管到FinFET的演变是一种先进的晶体管架构，旨在提高集成电路的性能和效率。它通过将传统的平面晶体管
Nexperia共源共栅氮化镓(GaN)场效应晶体管的高级SPICE模型
电子发烧友网站提供《Nexperia共源共栅氮化镓(GaN)场效应晶体管的高级SPICE模型.pdf》资料免费下载
发表于 02-13 15:23
•7次下载
互补场效应晶体管的结构和作用
随着半导体技术不断逼近物理极限，传统的平面晶体管（Planar FET）、鳍式场效应晶体管（FinFET）从平面晶体管到FinFET的演变，乃至全环绕栅或围栅（GAA
一文解析现代场效应晶体管(FET)的发明先驱
朱利叶斯·埃德加·利利恩菲尔德在1925年申请的专利为场效应晶体管奠定了理论基础。 虽然第一个工作的场效应晶体管（FET）直到1945年才出现，但这个想法早在近20年前，即朱利叶斯·埃德加·利利恩
工商网监
评论