0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

瑞萨电子与Wolfspeed签署10年碳化硅晶圆供应协议

WOLFSPEED 来源:WOLFSPEED 2023-07-06 10:36 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

瑞萨电子与Wolfspeed签署10年碳化硅晶圆供应协议

协议强调:

增强瑞萨电子对于提升其功率半导体路线图的承诺

向 Wolfspeed 支付 20 亿美元定金,确保 150mm 和 200mm 碳化硅晶圆的供应协议,并支持 Wolfspeed 在美国的产能扩充计划

协议助力碳化硅在汽车、工业与能源市场的采用

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)宣布与全球碳化硅技术引领者 Wolfspeed(NYSE: WOLF)达成晶圆供应协议。瑞萨电子将交付 20 亿美元定金以确保 Wolfspeed 碳化硅裸晶圆和外延片的 10 年供应承诺。Wolfspeed 高品质碳化硅晶圆的供应,为瑞萨电子将于 2025 年开始的碳化硅功率半导体规模化生产铺平道路。此次签约仪式在瑞萨电子位于日本东京的公司总部进行,瑞萨电子总裁兼 CEO 柴田英利与 Wolfspeed 总裁兼首席执行官 Gregg Lowe 出席并签约。

长达 10 年的供应协议要求 Wolfspeed 自 2025 年向瑞萨电子供应规模化生产的 150mm 碳化硅裸晶圆和外延片,这将强化公司致力于从硅向碳化硅半导体功率器件产业转型的愿景。在 Wolfspeed 位于美国北卡罗来纳州的 John Palmour 碳化硅制造中心(The John Palmour Manufacturing Center for Silicon Carbide, The “JP”)实现全面运营之后,也将向瑞萨电子供应 200mm 碳化硅裸晶圆和外延片。 由于电动汽车(EV)和可再生能源的增长所带来的强力推动,整个汽车和工业应用对于负责电力供应和控制的更高效功率半导体的需求急剧增加。瑞萨电子通过扩大自身制造产能,快速应对不断增长的功率半导体需求。瑞萨电子先前宣布了重新恢复甲府工厂用于生产 IGBT,并在高崎工厂建设碳化硅生产线。

相比于传统硅基功率半导体,碳化硅器件可以实现更高能源效率、更高功率密度和更低系统成本。在日益注重能源的当今世界,碳化硅在电动汽车(EV)、可再生能源与储能、充电基础设施、工业电源、牵引与变速驱动等众多高体量应用中的采用正在变得更为广泛。

瑞萨电子总裁兼 CEO 柴田英利表示:“与 Wolfspeed 的晶圆供应协议,将为瑞萨电子带来一个稳定且长期的高品质碳化硅晶圆供应基础。这将赋能瑞萨电子扩大功率半导体供应,以更好地服务客户的众多不同应用。我们已经蓄势待发,不断实现自我提升,成为加速碳化硅市场的一家关键企业。”

Wolfspeed 总裁兼首席执行官 Gregg Lowe 表示:“伴随着碳化硅在汽车、工业和能源领域急剧攀升的需求,我们能够拥有像瑞萨电子这样优秀的功率半导体客户是极为重要的,这将助力引领从硅向碳化硅的全球转型。Wolfspeed 聚焦制造碳化硅晶圆和高品质功率器件超过 35 年。这种关系标志着我们的使命向着助力全球节能迈出了重要的一步。”

瑞萨电子 20 亿美元定金将帮助支持 Wolfspeed 正在进行中的产能建设计划,包括了位于美国北卡罗来纳州查塔姆县的全球最大碳化硅材料工厂 John Palmour 碳化硅制造中心(The John Palmour Manufacturing Center for Silicon Carbide, The “JP”)。这座采用领先前沿技术、投资数十亿美元的工厂,计划实现在现有 Wolfspeed 北卡罗来纳州达勒姆园区碳化硅制造产能基础上的 10 倍以上的产能提升。这座工厂将主要生产 200mm 碳化硅晶圆。200mm 碳化硅晶圆比 150mm 碳化硅晶圆大 1.7 倍,这也就意味着每片晶圆可以制成更多数量的芯片,从而最终降低器件成本。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 晶圆
    +关注

    关注

    53

    文章

    5349

    浏览量

    131716
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    25

    文章

    3331

    浏览量

    51741

原文标题:瑞萨电子与 Wolfspeed 签署 10 年碳化硅晶圆供应协议

文章出处:【微信号:WOLFSPEED,微信公众号:WOLFSPEED】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    Wolfspeed发布E4MS系列分立式碳化硅MOSFET

    Wolfspeed 宣布推出最新的车规级 1200 V E4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET,基于业界领先的第四代 (Gen 4) 技术平台开发, 为汽车车载充电器、DC/DC 转换器、电子压缩机和加热与冷却系统等应用提供了
    的头像 发表于 11-30 16:14 544次阅读

    Wolfspeed发布C4MS系列分立式碳化硅MOSFET

    Wolfspeed 宣布推出最新的工业级 1200 V C4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET,基于业界领先的第四代 (Gen 4) 技术平台开发,为硬开关应用提供了优异的性能。
    的头像 发表于 11-30 16:13 502次阅读

    Wolfspeed碳化硅技术实现大规模商用

    碳化硅 (SiC) 技术并非凭空而来,它是建立在数十的创新基础之上。近四十年来,Wolfspeed 始终致力于碳化硅 (SiC) 技术和产品的创新并不断强化基础专利。仅在过去的五
    的头像 发表于 09-22 09:31 546次阅读

    Wolfspeed 200mm碳化硅材料产品组合开启大规模商用

    全球碳化硅 (SiC) 技术引领者 Wolfspeed 公司(美国纽约证券交易所上市代码:WOLF)宣布,Wolfspeed 200mm 碳化硅材料产品开启大规模商用。这一重要里程碑标
    的头像 发表于 09-11 09:12 1311次阅读

    重大突破!12 英寸碳化硅剥离成功,打破国外垄断!

    9月8日消息,中国科学院半导体研究所旗下的科技成果转化企业,于近日在碳化硅加工技术领域取得了重大突破。该企业凭借自主研发的激光剥离设备,成功完成了12英寸碳化硅
    的头像 发表于 09-10 09:12 1311次阅读

    Wolfspeed推出第四代高性能碳化硅MOSFET

    Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 车规级碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列,专为严苛的汽车环境设计。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MO
    的头像 发表于 08-11 16:54 2224次阅读

    碳化硅特性及切割要点

    01衬底碳化硅衬底是第三代半导体材料中氮化镓、碳化硅应用的基石。碳化硅衬底以碳化硅粉末为主要原材料,经过晶体生长、锭加工、切割、研磨、抛光
    的头像 发表于 07-15 15:00 877次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b>特性及切割要点

    EAB450M12XM3全碳化硅半桥功率模块CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅半桥功率模块CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科锐)生产的1200V、450A全碳化硅半桥功率模块,致力于高功率、高效化技术应用打造
    发表于 06-25 09:13

    国产SiC碳化硅功率半导体全面取代Wolfspeed进口器件的路径

    Wolfspeed宣布破产的背景下,国产碳化硅(SiC)功率器件厂商如BASiC(基本股份)迎来了替代其市场份额的重大机遇。
    的头像 发表于 06-19 16:43 698次阅读

    全球产业重构:从Wolfspeed破产到中国SiC碳化硅功率半导体崛起

    Wolfspeed破产到中国碳化硅崛起:国产SiC碳化硅功率半导体的范式突破与全球产业重构 一、Wolfspeed的陨落:技术霸权崩塌的深层逻辑 作为
    的头像 发表于 05-21 09:49 1003次阅读
    全球产业重构:从<b class='flag-5'>Wolfspeed</b>破产到中国SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率半导体崛起

    东升西降:从Wolfspeed危机看全球SiC碳化硅功率半导体产业链重构

    Wolfspeed作为全球碳化硅(SiC)功率半导体领域的先驱企业,其股价暴跌(单日跌幅超50%)、财务困境与德国30亿欧元项目搁浅危机,折射出欧美与中国在SiC碳化硅功率半导体产业链竞争中
    的头像 发表于 03-31 18:03 881次阅读

    CREE(Wolfspeed)的垄断与衰落及国产碳化硅衬底崛起的发展启示

    )的垄断与衰落 技术垄断期:Wolfspeed(原CREE)曾长期主导全球碳化硅衬底市场,其物理气相传输法(PVT)生长技术及6英寸衬底工艺占据绝对优势。2018特斯拉采用碳化硅后,
    的头像 发表于 03-05 07:27 1221次阅读
    CREE(<b class='flag-5'>Wolfspeed</b>)的垄断与衰落及国产<b class='flag-5'>碳化硅</b>衬底崛起的发展启示

    Wolfspeed第4代碳化硅技术解析

    本白皮书重点介绍 Wolfspeed 专为高功率电子应用而设计的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。基于在碳化硅创新领域的传承,Wol
    的头像 发表于 02-19 11:35 1613次阅读
    <b class='flag-5'>Wolfspeed</b>第4代<b class='flag-5'>碳化硅</b>技术解析

    碳化硅薄膜沉积技术介绍

    多晶碳化硅和非碳化硅在薄膜沉积方面各具特色。多晶碳化硅以其广泛的衬底适应性、制造优势和多样的沉积技术而著称;而非
    的头像 发表于 02-05 13:49 1813次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>薄膜沉积技术介绍

    什么是MOSFET栅极氧化层?如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?

    随着电力电子技术的不断进步,碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐,成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分,栅极氧化层对器件的整体性能和使用寿命
    发表于 01-04 12:37