0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

AMAZINGIC晶焱科技考虑寄生电容的高速接口中的TVS选择以及方案应用

KOYUELEC光与电子 来源:KOYUELEC光与电子 作者:KOYUELEC光与电子 2023-07-05 09:28 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

AMAZINGIC晶焱科技考虑寄生电容的高速接口中的TVS选择以及方案应用由授权一级代理分销KOYUELEC光与电子0755-82574660,82542001为ODM研发设计工程师提供技术选型和方案应用支持。

摘要:

TVS的选择与其保护的应用接口息息相关,除了TVS的操作电压必须大于或等于保护线的操作电压之外,若是应用在高速的传输接口保护上,TVS的寄生电容值也必须加入考虑,否则可能会影响讯号完整性(Signal Integrity),造成讯号传输波形的失真,无法判读。但相反的,也有少数系统设计工程师因过度追求讯号完整度,而在讯号线要求过低电容值的TVS,造成可选择的防护组件方案钳位电压 (clamping voltage) 过高,如此可能严重影响TVS防护系统的效果,不符合防护设计方案的初衷。

本文将针对高速接口的传输速度说明TVS的选择方案,并且透过反射损耗来估计高速讯号的最大容许电容值,避免设计工程师挑选过小或过大电容值的防护方案。

寄生电容对于高速讯号的失真影响

如下图一表示,讯号在线对地电容的大小会造成讯号的上升与下降时间变慢,进而造成讯号的波形失真,对地电容越大则会使上升与下降时间越慢,如下式一、二。当讯号的失真程度大过IC可以辨别的阀值情况,则有误码的情况产生。因此在高寄生电容的情况下,要解决误码情况则需要增长Bit Time使得讯号有足够时间上升或下降至判断阀值区,进而造成讯号传输速度变慢。

For Rising State: V(t)=V_0 (1-e^(-t/RC)) 式一

For Falling State: V(t)=V_0 (e^(-t/RC)) 式二

wKgaomSkxxKAROsgAAH8W7OuyME870.png

Fig. 1 电容对于讯号的失真影响

然而从时域的波形中较难量化电容值的大小将造成多严重的讯号失真,因此在高速数字讯号或射频线路的设计中,会透过FFT (Fast Fourier Transform) 将时域转换为频域来做表示,即S参数(S-Parameter),如: S11 Return Loss(反射损失)与S21 Insertion Loss(插入损失)。

高频讯号衰减与电容考虑

S11 Return Loss (反射损失) 描述当传输线两端阻抗不匹配时,电磁波在两接口间产生反射,而反射波与入射波功率的功率比值即Return Loss。TVS在电路上的应用需与终端阻抗并联到地,故会增加电容性负载,使得阻抗发生变化。

首先,假设单端传输线特征阻抗为50 Ohm且为理想正弦波,普遍射频工程上以S11小于 -10dB来判别是否阻抗匹配,当S11小于 -10dB时,代表入射功率可以传送超过90%至负载端。接着计算不同操作频率下的等效电容值,我们就可以得到图二中的红色线,藉此来判断不同速度的高速接口,其TVS的寄生电容值选择上限。

wKgZomSj9ZOAUs90AADP-60ZDpM675.png

Fig. 2 不同反射损耗条件下要求的电容负载容许度

USB4为例,其单一条Tx/Rx的最高传输速度可达20 Gbps,操作频率可等效为10 GHz的基频,因此从图二中可以观察到,一条高速在线在S11= -10 dB的情况下,最大可容许约0.29 pF的寄生电容。此外,亦可采用类似的方法针对S21 Insertion Loss (插入损失) 进行 TVS 的电容评估,不论采用 S11 或 S21 的评估结果是相等的,因为对于对地电容造成的反射波功率即插入的功率损耗 (S21)。然而不同的传输接口,讯号衰减忍受程度都不同,各个系统设计时可以留给 TVS 的余量也不同,最后我们可以从各传输接口的眼图条件(讯号衰减程度)来判别TVS应该容许的寄生电容大小。

晶焱科技的高速接口ESD解决方案

晶焱科技拥有业界规格最高也最完整的高速接口ESD解决方案,USB、HDMI、LAN Port对应的解决方案应有尽有,可参考下表一。AZ5B9S-01F仅有0.18pF的寄生电容,在相同DFN0603的封装大小,提供业界最低的4.6V钳制电压,是保护USB4 Re-timer/Controller的最佳选择。晶焱在市场多年的耕耘,与客户的密切合作令晶焱的产品与市场完美接轨,帮助客户解决ESD的同时,更保证了高速接口的讯号质量。

Interface
Amazing Solution
Capacitance (Typ.)
Clamping Voltage at ESD 8kV
USB2.0 (D+/D-)
AZC399-04S
1.4 pF
9V
USB3.0 (Tx/Rx)
AZ1143-04F
0.45 pF
9V
USB3.2 (Tx/Rx)
AZ176S-04F
0.29 pF
4.3V
USB4 (Tx/Rx)
AZ5B9S-01F
0.18 pF
4.6V
HDMI1.4 (TMDS)
AZ1143-04F
0.45 pF
9V
HDMI2.0 (TMDS)
AZ1143-04F
0.45 pF
9V
HDMI2.1 (TMDS/FRL)
AZ1123-04F
0.2 pF
10V
Display Port 1.4
AZ1143-04F
0.45 pF
9V
Display Port 2.0
AZ1123-04F
0.2 pF
10V
LAN 100M/1000M/2.5G
AZ1513-04S
AZ3133-08F
2.0 pF
1.7 pF
7.5V
12.5V
LAN 5G/10G
AZ1123-04F
AZ5B0S-01F
0.2 pF
0.18 pF
10V
5.5V
PCIE Gen4/Gen5
AZ5B9S-01F
0.18 pF
4.6V

Table 1. 晶焱科技提供的ESD解决方案

审核编辑:汤梓红

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 接口
    +关注

    关注

    33

    文章

    9591

    浏览量

    157598
  • TVS
    TVS
    +关注

    关注

    8

    文章

    991

    浏览量

    63780
  • 寄生电容
    +关注

    关注

    1

    文章

    303

    浏览量

    20366
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    防护器件类型与应用场景干货手册

    1. ESD 静电保护二极管 用于高速信号接口(USB、HDMI、以太网、天线),响应时间<1ns,寄生电容低至0.8pF。沃虎型号:WHTA3V30P8B、WHTA5V01P2C 等
    发表于 04-14 13:50

    泰克科技示波器和分析工具在高速接口中的应用优势

    高速接口需要精确的验证和工作流程。泰克为跨PCIe、DDR、USB、LPDDR和新兴SerDes标准的数千兆比特信号提供行业领先的解决方案
    的头像 发表于 03-26 15:58 537次阅读
    泰克科技示波器和分析工具在<b class='flag-5'>高速</b><b class='flag-5'>接口中</b>的应用优势

    LVDS高速差分传输设计:全链路滤波与防护实战方案

    Ω/1400Ω@100MHz 电流:700mA/3A DCR:0.25Ω/39mΩ 适用:安防监控、长距离传输、车载与户外设备 三、低容值TVS 防护器件选型 LVDS 信号速率高,对寄生电容非常敏感,电容
    发表于 03-24 14:59

    2022 AMAZINGIC Product Catalog科技产品目录

    科技:ESD防护IC全球第一目标▎【基本信息】科技为2006年成立的ESD防护基因IC设计公司,18年专注半导体防护细分赛道,以148人技术团队(2023年)、10亿新台币资本
    发表于 03-07 19:28 0次下载

    碳化硅MOSFET串扰抑制策略深度解析:负压关断与寄生电容分压的根本性优势

    倾佳电子剖析SiC MOSFET串扰问题的物理机制,并对各类抑制措施进行详尽的比较分析。报告的核心论点在于:通过优化器件本征参数实现的寄生电容分压优化,以及采用-5V负压关断驱动,构成了解决串扰问题的“根本性”方案
    的头像 发表于 01-20 17:35 2943次阅读
    碳化硅MOSFET串扰抑制策略深度解析:负压关断与<b class='flag-5'>寄生电容</b>分压的根本性优势

    高速外部无源振(HEXT)抗干扰设计

    两个匹配电容取值时不相等;走线避免换层,以减小线路寄生电感。 ※ 建议将振外壳接地,提高抗干扰能力。 ※ 尽量选择 ESR 值小的晶体,通常封装越小的晶体其 ESR 越大。ESR
    发表于 01-16 14:03

    AZ科技(AMAZINGIC)后疫情时代来临,E-Bike已成为生活习惯,为E-BIKE电动自行车提供解决方案~

    AZ科技(AMAZINGIC)后疫情时代来临,E-Bike已成为生活习惯,为E-BIKE电动自行车提供解决方案~
    的头像 发表于 01-16 10:07 441次阅读
    AZ<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>焱</b>科技(<b class='flag-5'>AMAZINGIC</b>)后疫情时代来临,E-Bike已成为生活习惯,为E-BIKE电动自行车提供解决<b class='flag-5'>方案</b>~

    高速接口如何选用低电容TVS管?信号完整性与防护性的双重考量

    要求。与此同时,这些高速接口暴露在外部环境中,也面临着静电放电(ESD)等瞬态干扰的威胁。为了兼顾信号完整性与防护效果,低电容TVS(瞬态电压抑制)管成为
    的头像 发表于 01-04 22:44 527次阅读
    <b class='flag-5'>高速</b><b class='flag-5'>接口</b>如何选用低<b class='flag-5'>电容</b><b class='flag-5'>TVS</b>管?信号完整性与防护性的双重考量

    君耀TVS管LCE系列为高速信号链路量身定制的低电容浪涌保护方案

    ,兼顾了“防雷”与“信号完整性”两大需求。君耀代理商南山电子认为,君耀TVS管LCE系列是为高速信号链路量身定制的低电容浪涌保护方案。工作原理正常状态下
    的头像 发表于 12-02 17:13 921次阅读
    君耀<b class='flag-5'>TVS</b>管LCE系列为<b class='flag-5'>高速</b>信号链路量身定制的低<b class='flag-5'>电容</b>浪涌保护<b class='flag-5'>方案</b>

    什么是振的杂散电容

    什么是振的杂散电容振的杂散电容,也叫做寄生电容,是指电路中非人为设计、由物理结构自然产生的、有害的隐藏
    的头像 发表于 11-13 18:13 583次阅读
    什么是<b class='flag-5'>晶</b>振的杂散<b class='flag-5'>电容</b>?

    32.768kHz电容匹配指南

    32.768kHz电容匹配指南选择32.768kHz振的电容大小是一个关键的考虑因素,它直
    的头像 发表于 07-03 18:07 1834次阅读
    32.768kHz<b class='flag-5'>晶</b>振<b class='flag-5'>电容</b>匹配指南

    如何匹配振的负载电容

    振的规格书中,通常会给出一个标称负载电容值,这个值是振能够稳定工作在标称频率下的理想电容负载条件。 二、确定电路中的实际负载电容 实际电路中的负载
    的头像 发表于 06-21 11:42 1180次阅读
    如何匹配<b class='flag-5'>晶</b>振的负载<b class='flag-5'>电容</b>

    逆变器寄生电容对永磁同步电机无传感器控制的影响

    摘要:逆变器非线性特性会对基于高频注人法的永磁同步电机转子位置和速度观测产生影响,不利于电机的精确控制。在分析逆变器非线性特性中寄生电容效应及其对高频载波电流响应影响的基础上,提出了一种旨在减小此
    发表于 06-11 14:42

    电源功率器件篇:变压器寄生电容对高压充电机输出功率影响

    寄生电容会对充电机输出功率产生显著影响。一、变压器寄生电容的产生原因?变压器的寄生电容主要包括初级与次级绕组之间的分布电容、绕组层间电容及匝
    的头像 发表于 05-30 12:00 1643次阅读
    电源功率器件篇:变压器<b class='flag-5'>寄生电容</b>对高压充电机输出功率影响

    【干货分享】电源功率器件篇:变压器寄生电容对高压充电机输出功率影响

    ,介电常数越高,寄生电容越大。 绕制工艺(如线径、层间距)决定导体间有效面积与距离,进而影响电容参数。 二、 寄生电容的特性及影响 寄生电容的特性受多种因素的综合影响。绕组的匝数、线径
    发表于 05-30 11:31