三季度DRAM和NAND闪存价格跌幅放缓

今年Q3，存储产品价格有望迎来拐点。

据业内消息人士称，DRAM 和 NAND 闪存的合同市场价格将在 2023 年第三季度继续下跌，尽管降幅有所放缓。

自2022年初以来存储下游需求不振引发供需错配，厂商竞相出货导致存储价格持续下探。2023 Q1存储产品价格继续下跌，伴随下游笔记本电脑需求回暖、AI应用浪潮袭来与汽车市场景气度上升，叠加龙头企业减产停止价格跌势，预计价格环比跌幅将持续缩小。

部分DRAM价格止跌

据台媒报道，在智能手机、PC上用于暂时储存数据的DRAM价格止跌，而此可能是因为存储大厂减产、导致市场库存减少所致。2023年5月份指标性产品DDR4 8Gb批发价（大宗交易价格）为每个1.48美元左右、同于前一个月份（2023年4月）水准，结束连12个月下跌局面；容量较小的4Gb产品价格为每个1.1美元左右，同于前一个月份水准，结束连12个月下跌局面。

DRAM批发价格为存储厂商和客户间每个月或每季敲定一次。

报道指出，美光、SK海力士于2022年秋天表明减产，龙头厂三星也在今年4月宣布减产，而随着各家厂商减产、市场库存持续进行调整。半导体商社负责人指出，需求稳健的资料中心相关库存已呈现适当水平。美光科技此前曾表示，AI服务器对DRAM和NAND的容量需求分别是常规服务器的8倍和3倍。

近日，有市场消息称，存储芯片三大原厂拟在下季拉动DRAM价格上涨。业内人士表示，目前三大原厂都想要拉高合约价，目标涨幅7%~8%。虽然仍有库存以及终端需求未见明显复苏的迹象，但进入拉扯的角力战，至少代表产业落底、复苏有望。此外，美光科技公布的2023财年第三财季业绩超出市场预期，对存储芯片板块形成利好刺激。

日本电子情报技术产业协会（JEITA）6月6日发布新闻稿指出，根据WSTS最新公布的预测报告显示，因智能手机、PC需求疲弱，导致存储需求预估将呈现大幅减少，因此2023年全球半导体销售额预估将年减10.3%至5,150.95亿美元，其中存储销售额预估将暴减35.2%至840.41亿美元。

WSTS预估，2024年全球半导体销售额将年增11.8%至5,759.97亿美元，将超越2022年的5,740.84亿美元，创下历史新高纪录，其中，存储销售额预估将暴增43.2%至1,203.26亿美元。

6月份NAND市场将发生转变

据业内人士透露，三星电子已经通知模块客户，将提高NAND晶圆的官方报价。此外，如果消费电子市场需求在下半年改善，NAND晶圆合约报价有望企稳。之前三星和SK海力士已在寻求将NAND闪存价格提高3%-5%，并表示NAND闪存的价格已降至可变成本以下，一些品牌SSD价格已接近HDD价格。

另据TrendForce调查报告显示，5月起美、韩系厂商大幅减产后，已见到部分供应商开始调高NAND晶圆报价，对于中国市场报价均已略高于3-4月成交价。

TrendForce预测，NAND闪存价格将从今年第三季度开始上涨，预计涨幅约为0-5%。预计2023年第四季度价格增长率将进一步扩大到8%-13%。然而，对于固态硬盘、eMMC和UFS等产品，仍然需要促销活动来清理库存，目前没有价格上涨的迹象。

相较其他买方，中国模组厂持续建立低价库存的意愿较强，因此目前对原厂小幅调涨晶圆报价的接受度高，有分析师认为部分容量晶圆价格在中国市场将会率先止跌翻涨。若其他市场也出现接受价格合理调涨，原厂上调晶圆报价的趋势将获得有效支撑，使得买方采购策略转趋积极，进一步支撑后续晶圆价格上涨。

今年6月7日，SK海力士宣布已开始大规模生产其238层NAND存储设备，有望实现高性能和高容量的固态硬盘。新芯片拥有2400MT/s的数据传输速率，可用于驱动下一代最佳固态硬盘，高速型号将采用PCIe5.0x4接口，并提供12GB/s或更高的顺序读/写速度。该公司首款238层3D NAND器件是一款512Gb(64GB)的3D TLC设备，与该公司176层3D NAND节点上制造的可比设备相比，制造效率高出34%。SK海力士计划首先在智能手机上使用这种新的238层内存，然后在其他产品组合中推广使用。

审核编辑：刘清