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慧能泰半导体推出内置超低阻抗N-MOS的PD协议芯片HUSB381

慧能泰半导体 来源:慧能泰半导体 2023-06-27 10:17 次阅读
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芯品发布

USB PD Source

HUSB381是慧能泰半导体全新推出的一款高性能、小尺寸的USB PD Source芯片,支持18 W~65 W功率输出,有利于小型化快充电源设计。HUSB381 符合最新的Type-C 2.1和USB PD3.1标准,支持5 V、9 V、12 V、15 V和20 V FPDO和2个可编程的APDO。HUSB381具有高集成度,内置了超低阻抗的N-MOS,HUSB381采用ESSOP-10L封装,适用于各类AC-DC电源适配器、车载充电器等应用。

HUSB381内置超低阻抗的N-MOS,在大电流(比如5 A)工作状态下可以降低功率损耗。

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图1、HUSB381参考设计电路

面对目前市场上18 W~65 W单C口快充的需求,以上设计支持自由设定PD输出电压电流,同时还支持恒压恒流控制。简单的外围设计大大降低了设计难度并减少了BOM成本,满足了高效、小型化的设计需求。

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图2、HUSB381参考设计小板

产品特性

符合USB Type-C 2.1和USB PD3.1标准

支持5V、9V、12V、15V和20VFPDO

支持2个可编程的APDO

低至5 mA的轻载检测

集成超低阻抗N-MOSFET

多种电缆补偿可选

集成OVP、UVP、UVLO、OCP、FOCP、CCOVP、OTP保护

ESSOP-10L 封装

±2 kV HBM ESD

目前,HUSB381已量产出货,欢迎联系慧能泰半导体点击文末阅读原文申请样品。同时,也可联系我们了解HUSB381更多信息与参考设计。

关于慧能泰半导体

深圳慧能泰半导体科技有限公司是一家专注于智慧能源控制技术的公司,主要面向智能快充和数字能源领域,提供高性能数模混合芯片产品。公司总部设立在深圳前海,同时在上海、浙江杭州、美国加州设有研发中心。慧能泰的核心研发团队来自国内外顶尖半导体公司,拥有强大的研发创新能力。公司现已获多项授权专利,拥有独立自主知识产权,并于2020年被评为“高新技术企业”。

目前,慧能泰已完成了围绕USB Type-C生态链的整体产品布局,开发并量产了多款产品:供电端的多系列PD Source协议芯片,受电端的高性能PD Sink(PD 诱骗芯片)、Type-C端口控制器(CC Logic),线缆端的USB eMarker(电子标签芯片)。成立以来,慧能泰连续推出多款业界领先的产品并广受市场欢迎。公司芯片出货量2亿颗,标杆性客户有联想、小米、三星、HP、贝尔金和努比亚等。同时,慧能泰也致力于提高能源利用效率、研究能源控制技术,借助自身的技术研发优势,面向ICT(通信服务器)、数据中心、光伏逆变器、储能等工业应用,研发数字电源控制芯片高压驱动芯片、电源转换芯片和模块等产品。

慧能泰半导体肩负着“芯智慧 芯能源,共建绿色未来”的使命,立志成为业界领先的智慧能源控制技术供应商。

审核编辑:汤梓红

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
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原文标题:内置超低阻抗N-MOS的PD协议芯片HUSB381,解决18W~65W的快充设计需求

文章出处:【微信号:慧能泰半导体,微信公众号:慧能泰半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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