国芯思辰 |国产PB85RS2MC在智能配电箱中的应用，兼容MB85RS2MT

铁电存储器(FRAM)具有非易失性，读写速度快，没有写等待时间等优势，能够像RAM一样操作，低功耗，擦写使用寿命长，芯片的擦写次数为100万次，比一般的E2PROM存储器高10倍。特别适合在为工业记录仪器、数据采集、可移动数据存储器等方面的应用。本文主要介绍铁电存储器PB85RS2MC在智能配电箱中的应用。

电能记忆原理：电表作为一个计量用电量的仪器，电表的精度不但与检测芯片的精度有关，而且与其存储方式有关，如果检测到的电量数据不能随机写入存储器或写入存储器过程出错，电表的精度就会大大降低。

基于FRAMPB85RS2MC存储器的特点，本文将对传统电表的电量存储方案设计进行改革，由于PB85RS2MC的读写次数为100万次，微处理器(MCU)检测到一个脉冲就可以写入FRAM内，由于电量数据是实时写入FRAM，所以，掉电后数据也不会丢失。由于FRAM不会像普通存储器那样有10ms的写周期，不用担心电容的容量变小后会对FRAM存储数据有影响，因为铁电存储器内没有缓冲区，数据是直接写入FRAM对应的地址中，所以写入的数据也不会出错。

国产FRAM PB85RS2MC应用特点：

1、PB85RS2MC通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元，该芯片不需要电池就可以保持数据。

2、PB85RS2MC容量2M bit，提供SPI接口，工作频率25兆赫兹，并支持40MHz高速读命令。

3、PB85RS2MC工作环境温度范围-40℃至85℃，封装为8引脚SOP封装，符合RoHS；性能兼容MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（赛普拉斯）。

4、PB85RS2MC最低功耗9微安（待机），工作电压2.7伏至3.6伏，可以在-40℃-85℃的温度范围内工作。

综上，通过采用PB85RS2MC存储器的电能数据存储系统，可以使电能计量系统十分准确，降低了功耗，而且具有结构紧凑，接口线少，控制方式简单，抗干扰能力强，通信速率较高，扩展灵活等许多优点。随着FRAM技术的不断发展，其应用范围会更加广泛，并且国芯思辰可提供专业的技术指导。

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