国芯思辰 |肖特基二极管B1D04065E用于PD快充头，满足极致小尺寸

如今，大部分快充电源厂商正在探索120W氮化镓+碳化硅快充PD头；而在PD这种极度紧凑的应用中，PCB面积极其珍贵，超薄型PD快充通常优先选择厚度低于2mm的表贴器件。基本半导体针对PD快充“小轻薄”的特点，推出SMBF封装的B1D04065E碳化硅肖特基二极管，该器件具有体积小、正向导通压低和抗浪涌能力强等特点，能很好地满足PD快充对器件的特殊需求。

基本半导体SMBF封装碳化硅肖特基二极管最大的优点是在PCB上的占用面积小，仅为19mm2，其长宽高分别为5.3mm*3.6mm*1.35mm，比SMB封装（厚度2.3mm）更薄，比DFN系列和TO-252封装面积更小。

低正向导通压降：

采用TO-252封装B1D04065E型号碳化硅肖特基二极管已在PD行业批量应用，产品与之相比具有更低的正向导通电压（见下图）。

高浪涌电流能力IFSM：

全球电网工频主要采用50Hz和60Hz，以50Hz工频电网为例，其一个周期内半波脉宽为10ms，器件应用在50Hz电网对应的PFC电路中时，需要标定10ms正弦波浪涌电流能力IFSM，而应用在60Hz电网对应的PFC电路中时，需要标定8.3ms正弦波浪涌电流能力。

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