0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

如何让自动抛光设备达到理想的抛光效果

深圳市科瑞特自动化技术有限公司 2023-05-05 09:57 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群


一、自动抛光机的抛光效果因素

自动抛光机的抛光效果取决于多个因素,除了自动抛光机本身的质量以外,还包括使用工艺、选用什么样的抛光辅料,要抛光物件材质,操作者的经验技术等,在条件都合适的情况下,自动抛光机的抛光效果还是很好的。自动抛光可提高生产效率、降低劳动强度、节约生产成本。广泛应用于工艺品加工厂、五金加工厂、卫浴加工厂、电子加工厂等场所。

二、自动抛光机抛光效果不佳的原因

自动抛光机在处理工件时无法达到理想的抛光效果,可能原因有很多,除了抛光机设备本身的性能不佳以外,还有:

1、自动抛光机上的旧磨料没有清洗完全,操作人员每日进行抛光时,操作时没有用新的研磨料。

2、自动抛光机长期运行,稀释剂的纯度降低,使用不纯的稀释剂也会导致无法抛出理想的效果。

3、抛光需多道工序,每道工序都有时间规定,如果在研磨的过程中,如果每个过程的抛光时间都没有达到抛光过程中的有效时间,也无法达到好的抛光效果。

4、没有保持匀速研磨。

5、工具头与研磨膏埙耗后没有及时更换。

6、抛光轮损耗后没有做合理的补偿或更换。

三、如何让自动抛光机达到理想的抛光效果

使用自动抛光机进行抛光作业,为了达到更好的抛光效果,需要注意以下几个方面:

1、研磨材料的选择

抛光之前,要仔细检查抛光面情况,根据抛光面划痕大小、损伤程度、抛光面厚度、耐磨度等具体情况,选择不同的研磨盘和研磨剂。

2、控制好抛光机的转速

抛光作业时,一定要严格控制抛光机的转速,转速太慢无法达到理想的抛光效果,转速太快又可能损伤抛光面,因此在操作时要多加注意。

3、做试抛

在批量操作前,应做3-5次的试抛,以便于调整到最佳状态,试抛过程中,注意各项参数的记录,以便于调整对比。

507ccffe-ea58-11ed-ba01-dac502259ad0.jpg

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 设备
    +关注

    关注

    2

    文章

    4885

    浏览量

    73856
  • 抛光
    +关注

    关注

    0

    文章

    63

    浏览量

    12189
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    芯片制造中的硅片表面细抛光与最终抛光加工工艺介绍

    硅片表面细抛光作为实现超精密加工的关键工序,其核心在于通过精准调控抛光布材质、抛光液成分及工艺参数,在5-8μm的加工量范围内实现局部平整度≤10nm、表面粗糙度≤0.2nm的极致控制,同时进一步降低金属离子污染。
    的头像 发表于 04-01 16:17 218次阅读
    芯片制造中的硅片表面细<b class='flag-5'>抛光</b>与最终<b class='flag-5'>抛光</b>加工工艺介绍

    芯片制造中硅片的表面抛光加工工艺介绍

    硅片表面抛光作为半导体制造中实现超光滑、无损伤表面的核心工艺,其核心目标在于通过系统性化学机械抛光(CMP)去除前道工序残留的微缺陷、应力损伤层及金属离子污染,最终获得满足先进IC器件要求的局部平整度≤10nm、表面粗糙度≤0.2nm的镜面级表面。
    的头像 发表于 03-30 10:28 1873次阅读
    芯片制造中硅片的表面<b class='flag-5'>抛光</b>加工工艺介绍

    如何选择适合12英寸大硅片抛光后清洗的化学品

    针对12英寸大硅片抛光后的清洗,化学品选择需兼顾污染物类型、硅片表面特性、工艺兼容性、环保安全等多重因素,核心目标是实现高洁净度、低表面损伤,并适配后续工艺需求。以下从核心维度拆解选择逻辑,结合行业
    的头像 发表于 03-03 15:24 274次阅读
    如何选择适合12英寸大硅片<b class='flag-5'>抛光</b>后清洗的化学品

    抛光设备的核心自动化配置要求和关键工艺参数

    在半导体器件规模化量产过程中,抛光设备自动化水平直接决定生产效率、工艺稳定性与作业安全性,需同时满足交互便捷性、运行可视化、安全可控性等核心诉求。
    的头像 发表于 02-09 14:32 866次阅读
    <b class='flag-5'>抛光</b><b class='flag-5'>设备</b>的核心<b class='flag-5'>自动</b>化配置要求和关键工艺参数

    功率放大器在UV-CMP抛光机中的应用

    UV-CMP抛光机有两种工作模式:连接超声振动信号和关闭超声振动信号接入。UV-CMP抛光机的设备工作步骤如下:第一,超声信号发生器生成一定频率和波形的电信号;第二,超声电信号传输给功率放大器,使
    的头像 发表于 01-20 11:27 390次阅读
    功率放大器在UV-CMP<b class='flag-5'>抛光</b>机中的应用

    氩离子抛光制样经验分享

    氩离子抛光技术通过电场加速产生的高能氩离子束,在真空环境下对样品表面进行可控的物理溅射剥离。与传统机械制样方法相比,其核心优势在于:完全避免机械应力导致的样品损伤,能够保持材料的原始微观结构,实现
    的头像 发表于 11-25 17:14 734次阅读
    氩离子<b class='flag-5'>抛光</b>制样经验分享

    氩离子抛光技术的应用领域

    氩离子抛光技术作为一项前沿的材料表面处理手段,凭借其高效能与精细加工的结合,为多个科研与工业领域带来突破性解决方案。该技术通过低能量离子束对材料表面进行精准处理,不仅能快速实现抛光还能在微观尺度
    的头像 发表于 11-03 11:56 433次阅读
    氩离子<b class='flag-5'>抛光</b>技术的应用领域

    氩离子的抛光与切割技术

    氩离子抛光和切割技术是现代微观分析领域中不可或缺的样品制备手段。该技术通过利用宽离子束(约1毫米宽)对样品进行切割或抛光,能够精确地去除样品表面的损伤层,并暴露出高质量的分析区域,为后续的微观结构
    的头像 发表于 10-29 14:41 478次阅读
    氩离子的<b class='flag-5'>抛光</b>与切割技术

    半导体国产替代材料 | CMP化学机械抛光(Chemical Mechanical Planarization)

    一、CMP工艺与抛光材料的核心价值化学机械抛光(ChemicalMechanicalPlanarization,CMP)是半导体制造中实现晶圆表面全局平坦化的关键工艺,通过“化学腐蚀+机械研磨
    的头像 发表于 07-05 06:22 9585次阅读
    半导体国产替代材料 |  CMP化学机械<b class='flag-5'>抛光</b>(Chemical Mechanical Planarization)

    深度解析芯片化学机械抛光技术

    化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing, 简称 CMP)技术是一种依靠化学和机械的协同作用实现工件表面材料去除的超精密加工技术。下图是一个典型的 CMP 系统示意图:
    的头像 发表于 07-03 15:12 3059次阅读
    深度解析芯片化学机械<b class='flag-5'>抛光</b>技术

    全球CMP抛光液大厂突发断供?附CMP抛光材料企业盘点与投资逻辑(21361字)

    (CMP)DSTlslurry断供:物管通知受台湾出口管制限制,Fab1DSTSlury(料号:M2701505,AGC-TW)暂停供货,存货仅剩5个月用量(267桶)。DSTlslurry‌是一种用于半导体制造过程中的抛光液,主要用于化学机械抛光(CMP)工艺。这种
    的头像 发表于 07-02 06:38 6146次阅读
    全球CMP<b class='flag-5'>抛光</b>液大厂突发断供?附CMP<b class='flag-5'>抛光</b>材料企业盘点与投资逻辑(21361字)

    氩离子抛光仪/CP离子研磨截面抛光案例

    样品切割和抛光配温控液氮冷却台,去除热效应对样品的损伤,有助于避免抛光过程中产生的热量而导致的样品融化或者结构变化,氩离子切割制样原理氩离子切割制样是利用氩离子束(〜1mm)来切割样品,以获得相比
    的头像 发表于 05-26 15:15 703次阅读
    氩离子<b class='flag-5'>抛光</b>仪/CP离子研磨截面<b class='flag-5'>抛光</b>案例

    防震基座在半导体晶圆制造设备抛光机详细应用案例-江苏泊苏系统集成有限公司

    在半导体制造领域,晶圆抛光作为关键工序,对设备稳定性要求近乎苛刻。哪怕极其细微的振动,都可能对晶圆表面质量产生严重影响,进而左右芯片制造的成败。以下为您呈现一个防震基座在半导体晶圆制造设备抛光
    的头像 发表于 05-22 14:58 848次阅读
    防震基座在半导体晶圆制造<b class='flag-5'>设备</b><b class='flag-5'>抛光</b>机详细应用案例-江苏泊苏系统集成有限公司

    化学机械抛光液的基本组成

    化学机械抛光液是化学机械抛光(CMP)工艺中关键的功能性耗材,其本质是一个多组分的液体复合体系,在抛光过程中同时起到化学反应与机械研磨的双重作用,目的是实现晶圆表面多材料的平整化处理。
    的头像 发表于 05-14 17:05 1885次阅读
    化学机械<b class='flag-5'>抛光</b>液的基本组成

    Pea Puffer非球面:周长优化的非球面CCP抛光

    摘要 : 一种用于小直径非球面 CCP 抛光的新概念,称为Pea Puffer非球面,能够生成那些对于大多数 CCP 抛光方法来说孔径太小的非球面。Pea Puffer方法能够在工业中以高质量
    发表于 05-09 08:48