0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

9.1.6 基区中的大电流效应:Rittner效应∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

深圳市致知行科技有限公司 2022-03-15 09:29 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

9.1.6基区中的大电流效应:Rittner效应

9.1双极结型晶体管(BJT)

第9章双极型功率开关器件

《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

2d7ccef0-a3b9-11ec-8b86-dac502259ad0.jpg

2d90714e-a3b9-11ec-8b86-dac502259ad0.jpg

2da39ed6-a3b9-11ec-8b86-dac502259ad0.jpg

2dbc04a8-a3b9-11ec-8b86-dac502259ad0.jpg

2dd412d2-a3b9-11ec-8b86-dac502259ad0.jpg

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 电流
    +关注

    关注

    40

    文章

    7226

    浏览量

    141574
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    技术突围与市场破局:碳化硅焚烧炉内胆的氮化硅陶瓷升级路径

    耐火材料与纯碳化硅材料面临极限挑战时,氮化硅陶瓷的技术指标为这一领域提供了更具针对性的升级方案。 一、产品细节:氮化硅陶瓷的技术优势 针对
    发表于 03-20 11:23

    深度解析SiC碳化硅功率MOSFET米勒效应:物理机制、动态影响与桥式电路的串扰抑制

    深度解析SiC碳化硅功率MOSFET米勒效应:物理机制、动态影响与桥式电路的串扰抑制 BASiC Semiconductor基本半导体一级代理商倾佳电子(Changer Tech)是一家专注于功率
    的头像 发表于 01-26 06:11 436次阅读
    深度解析SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率MOSFET米勒<b class='flag-5'>效应</b>:物理机制、动态影响与桥式电路<b class='flag-5'>中</b>的串扰抑制

    碳化硅器件在新能源汽车的核心作用

    碳化硅(SiC)器件在新能源汽车起到了非常核心的作用,尤其是在提升电能转换效率、减小体积和重量、延长续航里程等方面,具有不可替代的优势。具体来说,碳化硅
    的头像 发表于 12-29 11:39 840次阅读

    Wolfspeed碳化硅技术实现大规模商用

    碳化硅 (SiC) 技术并非凭空而来,它是建立在数十年的创新基础之上。近四十年来,Wolfspeed 始终致力于碳化硅 (SiC) 技术和产品的创新并不断强化基础专利。仅在过去的五年
    的头像 发表于 09-22 09:31 996次阅读

    【新启航】碳化硅外延片 TTV 厚度与生长工艺参数的关联性研究

    一、引言 碳化硅外延片作为功率半导体器件的核心材料,其总厚度偏差(TTV)是衡量产品质量的关键指标,直接影响器件的性能与可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多种因素影响,其中生长工艺参
    的头像 发表于 09-18 14:44 1046次阅读
    【新启航】<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延片 TTV 厚度与<b class='flag-5'>生长</b>工艺参数的关联性研究

    【新启航】碳化硅 TTV 厚度测量的各向异性效应及其修正算法

    的晶体结构赋予其显著的各向异性,在 TTV 厚度测量过程,各向异性效应会导致测量数据偏差,影响测量准确性。深入研究各向异性效应并探寻有效的修正算法,是提升碳化硅 TT
    的头像 发表于 09-16 13:33 2072次阅读
    【新启航】<b class='flag-5'>碳化硅</b> TTV 厚度测量<b class='flag-5'>中</b>的各向异性<b class='flag-5'>效应</b>及其修正算法

    碳化硅功率器件的基本特性和主要类型

    随着全球对能源效率和可持续发展的关注日益加深,碳化硅(SiC)功率器件作为一种新兴的半导体材料,正在快速崛起。SiC以其优异的电气性能、高温稳定性和抗辐射性,成为现代电力电子技术不可
    的头像 发表于 09-03 17:56 1773次阅读

    碳化硅在电机驱动的应用

    今天碳化硅器件已经在多种应用取得商业的成功。碳化硅MOSFET已被证明是硅IGBT在太阳能、储能系统、电动汽车充电器和电动汽车等领域的商业可行替代品。
    的头像 发表于 08-29 14:38 7357次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>在电机驱动<b class='flag-5'>中</b>的应用

    碳化硅器件的应用优势

    碳化硅是第三代半导体典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有着高击穿场强和高热导率的优势,在高压、高频、大功率的场景下更适用。碳化硅的晶体结构稳定,哪怕是在超过300℃的高温环境下,打破了传统材料下
    的头像 发表于 08-27 16:17 1935次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>器件</b>的应用优势

    碳化硅衬底 TTV 厚度测量边缘效应的抑制方法研究

    摘要 本文针对碳化硅衬底 TTV 厚度测量存在的边缘效应问题,深入分析其产生原因,从样品处理、测量技术改进及数据处理等多维度研究抑制方法,旨在提高 TTV 测量准确性,为
    的头像 发表于 08-26 16:52 1352次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>衬底 TTV 厚度测量<b class='flag-5'>中</b>边缘<b class='flag-5'>效应</b>的抑制方法研究

    碳化硅器件在工业应用技术优势

    ,正逐渐取代硅(Si)器件,在工业自动化、电力电子、能源转换等多领域中发挥着越来越重要的作用。本文将深入分析碳化硅器件在工业应用技术优势
    的头像 发表于 08-25 14:10 1896次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>器件</b>在工业应用<b class='flag-5'>中</b>的<b class='flag-5'>技术</b>优势

    碳化硅晶圆特性及切割要点

    01衬底碳化硅衬底是第三代半导体材料中氮化镓、碳化硅应用的基石。碳化硅衬底以碳化硅粉末为主要原材料,经过晶体生长、晶锭加工、切割、研磨、抛光
    的头像 发表于 07-15 15:00 1397次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圆特性及切割要点

    EAB450M12XM3全碳化硅半桥功率模块CREE

    模块的可靠性和耐用性。低电感设计:电感值为6.7 nH,有助于降低系统的电感效应,提高功率转换效率。采用全新的第3代碳化硅MOSFETs:提供更好的性能和效率。集成化温度传感器
    发表于 06-25 09:13

    碳化硅功率器件在能源转换的应用

    随着全球对可持续能源的需求不断增加,能源转换技术的提升已成为实现低碳经济的重要一环。碳化硅(SiC)功率器件因其在高温、高电压和高频率下优越的性能,正逐渐成为现代电力电子设备的选择,特别是在能源转换领域的应用越来越广泛。本文将深
    的头像 发表于 04-27 14:13 1144次阅读

    碳化硅功率器件有哪些特点

    随着全球对绿色能源和高效能电子设备的需求不断增加,宽禁带半导体材料逐渐进入了人们的视野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到广泛关注。碳化硅功率器件在电力电子、可再生能源以及电动汽车等领域的应用不断拓展,成为现代电子
    的头像 发表于 04-21 17:55 1405次阅读