等离子体掺杂∈《集成电路产业全书》
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
集成电路
+关注
关注
5465文章
12695浏览量
375837 -
新材料
+关注
关注
8文章
434浏览量
22355
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
13.56MHz 射频电源拓扑与 1200V SiC MOSFET 集成：非线性电容补偿
，等离子体刻蚀（Plasma Etching）与等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是决定集成电路特征尺寸与三维结构形貌的核心工序。随着微电子制造向 3 纳米及埃米（Angstrom）节点演进，极紫外
北方华创发布全新一代12英寸高端电感耦合等离子体刻蚀设备NMC612H
近日，北方华创正式发布全新一代12英寸高端电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备——NMC612H。
Pearson皮尔森电流探头：半导体等离子体测试精准测量优选方案
在半导体及半导体设备行业，等离子体研究的每一步突破，都离不开精准的电流数据支撑。作为物质的第四态，等离子体的电离特性的决定了其测试过程对设备的频率适配性、精度控制有着极高要求，而Pearson皮尔森
集成电路制造工艺中的刻蚀技术介绍
本文系统梳理了刻蚀技术从湿法到等离子体干法的发展脉络，解析了物理、化学及协同刻蚀机制差异，阐明设备与工艺演进对先进制程的支撑作用，并概述国内外产业格局，体现刻蚀在高端芯片制造中的核心地位与技术挑战。
射频功率放大器在等离子体激励及发射光谱诊断系统中的应用
实验名称：射频放电等离子体激励及发射光谱诊断系统 研究方向：探索射频放电等离子体激励对超声速流动中激波/边界层干扰（SWBLI）非定常性的主动控制效果及其作用机理。研究聚焦于等离子体激励在流动控制中
中达瑞和定制内推式高光谱相机助力等离子体运动轨迹监测
等离子体作为物质的第四态，在核聚变、材料加工、半导体制造等前沿科技与工业领域中扮演着关键角色。如何精准、实时地监测其运动轨迹与物理状态，一直是科研与工程应用中的核心挑战。传统监测方法往往在精度、实时
【「芯片设计基石——EDA产业全景与未来展望」阅读体验】--全书概览
国内集成电路设计EDA行业领头羊一员，以实事求是、开拓创新，积极进取精神 向读者展现讲解，也是在激励集成电路EDA产业不断发展壮大，勇立潮头。
发表于 01-18 17:50
TDK PiezoBrush PZ3 - c评估套件：探索冷等离子体解决方案的利器
TDK PiezoBrush PZ3 - c评估套件：探索冷等离子体解决方案的利器 在电子工程领域，不断探索和创新新的技术与产品是推动行业发展的关键。今天，我们就来详细了解一下TDK
SPS-5T-2000℃型智能型放电等离子体烧结炉
法。通断式直流脉冲电流的主要作用是产生放电等离子体、放电冲击压力、焦耳热和电场扩散作用，它具有加热均匀，升降温速度快、烧结时间短、组织结构可控、产品组织细小均匀、可以得到高致密度的材料、节能环保等鲜明特点
使用简仪科技产品的等离子体诊断高速采集系统解决方案
在核聚变能源成为全球能源转型重要方向的今天，托卡马克等核聚变研究装置的稳定运行与技术突破，离不开对等离子体状态的精准把控。等离子体诊断作为解析等离子体物理特性的核心手段，通过探针法、微波法、激光法、光谱法等多种技术，获取电子密度
探索微观世界的“神奇火焰”：射频等离子体技术浅谈
你是否想象过，有一种特殊的“火焰”，它并不灼热，却能瞬间让材料表面焕然一新；它不产生烟雾，却能精密地雕刻纳米级的芯片电路？这种神奇的“火焰”，就是今天我们要介绍的主角——射频等离子体（RF Plasma）。
高端芯片制造装备的“中国方案”：等离子体相似定律与尺度网络突破
图1.射频放电诊断系统与相似射频放电参数设计 核心摘要： 清华大学与密歇根州立大学联合团队在顶级期刊《物理评论快报》发表重大成果，首次通过实验验证了射频等离子体的相似性定律，并成功构建全球首个
远程等离子体刻蚀技术介绍
远程等离子体刻蚀技术通过非接触式能量传递实现材料加工，其中热辅助离子束刻蚀（TAIBE）作为前沿技术，尤其适用于碳氟化合物（FC）材料（如聚四氟乙烯PTFE）的精密处理。
安泰高压放大器在等离子体发生装置研究中的应用
等离子体发生装置通过外部能量输入使气体电离生成等离子体，在工业制造、材料科学、生物医疗等领域应用广泛。高压放大器作为能量供给的核心器件，直接影响等离子体的生成效率、稳定性和可控性。 图
上海光机所在多等离子体通道中实现可控Betatron辐射
图1. 等离子体多通道Betatron振荡产生的示意图 近期，中国科学院上海光学精密机械研究所超强激光科学与技术全国重点实验室研究团队提出了一种基于双激光脉冲干涉的新型高亮度X射线源产生方案。该团
评论