MOSFET数据手册常见参数解析——EASIGSS/Rds（on）/Coss
审核编辑：汤梓红
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
MOSFET
+关注
关注
141文章
6569浏览量
210134 -
MOS管
+关注
关注
107文章
2215浏览量
64367 -
参数
+关注
关注
11文章
1398浏览量
31471 -
数据手册
+关注
关注
92文章
6081浏览量
41148
原文标题：MOSFET数据手册常见参数解析——EASIGSS/Rds（on）/Coss
文章出处：【微信号：是我者也同学，微信公众号：是我者也同学】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
简化的MOSFET等效电路，看Rds和Rg电阻损耗
简化的MOSFET等效电路MOSFET开通（turn on）过程MOSFET损耗——Rds和Rg电阻损耗Di
理解功率MOSFET的RDS(ON)负温度系数特性
记得作者2002年做研发的时候，在热插拨的应用中就开始关注到这个问题，那时候很难找到相关的资料，最后在功率MOSFET的数据表中根据相关的图表找到导通电阻RDS(ON)的这个违背常理的特性，然后
发表于 09-26 15:28
理解功率MOSFET的Coss产生损耗
的能量将会通过MOSFET放电，产生损耗。 许多资料中，理论的Coss放电产生的损耗为：从上式可以看到，Coss放电产生的损耗和容值、频率成正比，和电压的平方成正比。在功率MOSFET
发表于 03-28 11:17
【干货】MOSFET开关损耗分析与计算
工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。1. 开通过程中MOSFET开关损耗2. 关断过程中MOSFET开关损耗3. Coss
发表于 01-30 13:20
理解功率MOSFET的RDS(ON)温度系数特性
理解功率MOSFET的RDS(ON)温度系数特性
通常，许多资料和教材都认为，MOSFET的导通电阻具有正的温度系数，因此可以并联工作。当其中一个并联的MOSFET的温度上升时，具有
发表于 11-10 10:53
•4407次阅读
工商网监
评论